文档介绍：第一章
( N ) 型和( P ) 型。自由电子是( N ) 型半导体中的多子。空穴是(P ) 型半导体中的少子。
( 本征激发) 而产生,多子主要因( 掺杂) 而产生。
( 杂质) 浓度,而少于浓度随( 温度) 变化显著。
( 扩散) 电流与载流子浓度梯度成正比; ( 漂移) 电流与电场强度成正比。
( P ) 区外接高电位而( N ) 区外接低电位时,PN结正偏。
6,PN结又称为( 空间电荷区)、( 耗尽层)、( 阻挡层)和( 势垒区)。
( )。该方程反映出PN结的基本特性是( 单向导电性) 特性。此外,PN结还有( 电容) 效应和(反向击穿)特性。
( 势垒)电容和( 扩散) 电容。PN结反偏时,只存在( 势垒) 电容。反偏越大,该电容越( 越小)。
( ) 伏,而Ge二极管导通电压的典型值约为( )伏。
10.( 锗) 二极管的反向饱和电流远大于( 硅) 二极管的反向饱和电流。
( 齐纳)击穿和( 雪崩)击穿两种机理。
( 反向击穿)特性工作的二极管。
( 反向)特性工作的二极管。
( ),rd的估算式是( ),其中热电压UT在T=300K时,值约为( 26 )mV。
,集电结反偏时,BJT工作在( 放大)区,当发射结和集电结都( 正偏)时,BJT饱和;当发射结和集电结都( 反偏) 时,BJT截止。
,三电极的电位关系是( )。而放大偏置的PNP管,三电极的电位关系是( )。
,BJT在结构上具有发射区杂质密度( 远远高于)基区杂质密度和基区( 很薄)的特点。
( 集电极反向饱和电流),下标O表示( 发射极开路)。ICEO表示( C-E间的穿透电流),下标O表示( 基极开路)。这两个电流之间的关系是( )。
( ),对Si管而言iC ≈( )。
( )。
,iE、iC和iB近似成( 线性)关系,而这些电流与uBE则是( 指数)关系。
,会通过改变基区宽度而影响各级电流,此现象称为( 基区宽度调制效应)。
( )。一条共射输出特性曲线对应的函数关系是( )。
, ( 增大),ICBO ( 增大),而共射输入特性曲线( 左移)使得UBE减小。
()、( )和()。
( );直流的定义式为( )。
|β(f)|=1时的频率称为BJT的( 特征频率)。
,它们与混合π参数的关系是rbe =( ),β=( )。
( )和( )。
第二章
( 静态工作点)。在画直流通路时,应将电路元件中的( 电容)开路,( 电感)短路。
( 交流)电压与( 交流)电流之间的关系。在画交流通路时,应将耦合和傍路电容及恒压源( 短路)。
(3)所示共射放大器的输出直流负载线方程近似为( )。该电路的交流负载线是经过( Q )点,且斜率为( )的一条直线。共射放大器的交流负载线是放大器工作时共射输出特性曲线上的动点( )的运动轨迹。
( 交流负载线)的中点时,无削波失真的输出电压最大。
( 输入)电阻,而向放大器的负载RL输出功率的等效信号源的内阻是放大器的( 输出)电阻。
( 相加)。若放大器Au= -,则Au的分贝数=( 37 )。
( 直接)耦合,( 阻容)耦合和( 变压器)耦合。
(直流电源存在内阻),消除共电耦合的方法是采用( 电源去耦)电路。
( 零点漂移(温漂) )。
,中间某一级的( 输入)电阻是上一级的负载。
( 功率)增益总是大于一。
,放大器非线性失真的主要特征是( 有谐波产生(输出信号产生了新