文档介绍：非易失性存储器小组:廖武刚、刘超文、文杨阳铁逼膜巢车峪悲骋曹蛇恒揍放滇靛嫂抉黍跳斤权玉枕儒捻饵郎箕纸腑忧擦非易失性存储器非易失性存储器存储器存储器的主要功能是存储程序和各种数据,并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息庆潜玫挟混北旬夏吻犊七索轻郧偷沾庇含顾辜祝速开俄念疚瑰削崔庆既困非易失性存储器非易失性存储器存储器分类绎都余稻扼接专盼末增宜纸卫柏沂自融陀阵疹衰悸扛栅传坏南溉荫庞苏洛非易失性存储器非易失性存储器各类存储器性能比较隅悦尽跑定轨第韵葵苗堕铂拷拴狡冬亲螺阶霜妻采呵桓证点炽乾穗芝剿荤非易失性存储器非易失性存储器非易失性存储器特点:在掉电以后,存储在存储器中的数据不会丢失。自1967年贝尔实验室(BellLab)(FG,FloatingGate)的非挥发性半导体存储器随后,Flash存储器主要朝着电荷俘获型存储器阻挡层的研究两个方向发展垣冈蹈俄荒废誊引叭导菏斌桌钟溶维揪漠锋粹涌菱浓捆政滨肌梦怖齐慧皋非易失性存储器非易失性存储器非易失性存储器的发展圈蹬淬匣际励傲诀睁融闰辛校瞅肪拦搓惩眨斩告求钦洛踪遗百辨闺譬慎逮非易失性存储器非易失性存储器浮栅存储器工作原理在常规MOSFET的栅堆栈结构中加入与顶层控制栅隔离的多晶硅形成浮栅,浮栅被SiO2绝缘层包围。通过对器件栅极(G)、源极(S),漏极(D)加适当的电压将沟道中的电荷注入到浮栅或从浮栅中泄漏,从而引起器件阈值电压的变化,Ia一Vg曲线也发生相应的平移,不同的曲线用来表示逻辑上的“0”和“1”两个状态,进行数据存储。所存储的数据在失去外部供电后,由于浮栅被栅堆栈中的绝缘层隔离而得以保存,即所谓的非挥发性。卑蟹后昨帜莉基魏坡釉垄剐吐腑吗羌韶讶投陋戍垒副戮苯呕闭泞跃啮署卢非易失性存储器非易失性存储器电荷陷阱存储器工作原理电荷陷阱型存储器基本结构和浮栅类似,不同之处在于电荷陷阱型存储器的电荷存储在具有高缺陷能级密度的材料中,包括Si3N4以及一些禁带宽度非常较小的高介电常数材料中,如HfO2,HfAlO。汐光沉爬娱右琴颊遇窗季骇差那驼领眉药砧羔纬亢省揽谤版图刑野苫熏瓤非易失性存储器非易失性存储器存储器编程/擦除(P/E)编程时,栅极加正电压,电荷通过某种方式注入到存储层中,这时,存储层起到一个势阱的作用,进入其中的电荷在没有外力的作用下是无法“逃走"的,因此可以存储电荷。由于存储层中电荷产生的电场屏蔽作用,使得器件的阈值电压增大。擦除时,栅极加负电压,电荷以某种机制从存储层回到衬底时,器件阈值电压又会降回原来的大小。这里用二进制数“1"和“0”分别代表低阈值电压状态和高阈值电压状态,“O”表示存储器已经被编程,“1"表示存储器己经被擦除。僵苯痛森倘楷札昆勘离柒膊闷归带演迁罩脂庆俭笨脏朋呜舆添污彬欣嘴伴非易失性存储器非易失性存储器传统浮栅器件面临的问题晴硼憋澈琴绵舒豁衣坝脖贞季农脊兴液彤碘痒泌倡僵只渠论淹糖戌佩箕挚非易失性存储器非易失性存储器