文档介绍：双极型半导体晶体管
双极型晶体管的结构
双极型晶体管的电流分配关系
晶体管的三种组态
晶体管的共射特性曲线
晶体管的参数
晶体管的型号
半导体二极管和晶体管的封装
双极型和场效应型晶体管的比较
4章半导体二极管和晶体管
双极型晶体管是由两种载流子参与导电的半导体器件,它由两个 PN 结组合而成,CS)。
晶体管英文称为Transister,在中文中称为晶体管或半导体晶体管。晶体管有两大类型:
一是双极型晶体管(BJT),
二是场效应晶体管(FET)。
场效应型晶体管仅由一种载流子参与导电,是一种电压控制电流源器件(VCCS)。
4章半导体二极管和晶体管
晶体管的两种结构
双极型晶体管的结构
NPN型
PNP型
这是基极b
这是发射极e
这是集电极c
这是发射结Je
这是集电结Jc
晶体管符号中的短粗线代表基极,发射极的箭头方向,代表发射极电流的实际方向。
双极型晶体管有两种结构,NPN型和PNP型,。
4章半导体二极管和晶体管
双极型晶体管的电流分配关系
双极型晶体管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态:发射结加正向电压,集电结加反向电压。现以 NPN型晶体管的放大状态为例,来说明晶体管内部的电流关系。
晶体管内部载流子的运动
在工艺上要保证发射区掺杂浓度远大于基区,基区制作的十分薄,载流子渡越基区的时间可以忽略。这样在分析问题时可重点着眼主要载流子的运动。
4章半导体二极管和晶体管
IEN
IEP
IE
IC
IB
IBN
注意图中画的是载流子的运动方向,空穴流与电流方向相同;电子流与电流方向相反,为此可确定三个电极的电流。
ICN
晶体管中载流子的运动
如何保证注入的载流子尽可能到达集电区?
ICBO
4章半导体二极管和晶体管
发射极电流:IE= IC+ IB
晶体管的电流放大系数
从三个电极看,流进去的电流等于流出来的电流。
IEN
IE
IC
IB
IBN
ICN
定义晶体管的
电流放大系数:
称为共射组态电流放大系数
4章半导体二极管和晶体管
晶体管的三种组态
双极型晶体管有三个电极,其中两个可以作为输入电极, 两个可以作为输出电极,这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。
晶体管的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示;
共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示;
共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。
4章半导体二极管和晶体管
晶体管的三种组态
共源极接法,源极作为公共电极,用CS表示;
共漏极接法,漏极作为公共电极,用CD表示;
共栅接法,栅极作为公共电极,用CG表示。
4章半导体二极管和晶体管
晶体管的特性曲线
这里,B表示输入电极,C表示输出电极,E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。
iB是输入电流,uBE是输入电压,加在B、E两电极之间。
iC是输出电流,uCE是输出电压,从C、E两电极取出。
输入特性曲线—— iB=f(uBE) uCE=const
输出特性曲线—— iC=f(uCE) iB=const
本节介绍共发射极接法晶体管的特性曲线,即
11/13/2017
简单地看,输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线,现讨论iB和uBE之间的函数关系。因为有集电极电压的影响,它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除uCE变化的影响,在讨论输入特性曲线时,应使uCE=const(常数)。
输入特性曲线
4章半导体二极管和晶体管