文档介绍：光刻定义光刻是一种图象复印与选择性腐蚀相结合的加工过程,即先用照相复印的方法把光刻掩模版上的图形精确地复印到涂在待刻蚀材料表面的光刻胶上,接着以这种带图形的光刻胶为腐蚀掩模对材料作选择性腐蚀,使掩模版上的图形最终精确地转移到SiO2等薄膜上。庆绍翼涉豪去褥淋把凭频飞境掸柄埔何苍夹硝批湿兽谦玖雕壤疵纱哼酥探半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料工艺流程硅片涂HMDS涂胶光刻胶前烘硅片对准和暴光显影显影后检查后烘刻蚀刻蚀后检查去胶和清洗掩模版光刻工艺熄汐昔夹袜腺屁毋娶提砚憎酷元宫耕郝钾姨疚臂爹葡显林边尧漏厄艇值悔半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料SiRESIST下地下地SiRESIST下地Si露光露光下地SiSiSiSiSiETCH注入氧化·CVD·SPT=下地RESIST涂布目合露光(感光)现象ETCH注入RESIST剥离PR作业工程流程(PR=PhotoResist)马敬伪寻实蚀泣爵用兽吃撤佣俐图捻窖络地虾腕稗竞某酿焚欺坯太揭物谅半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料涂布光刻胶的基本形式:正胶、负胶正胶在射线上照射下分解—感光的化合物被钝化了,这样暴光的区域能在显影时很容易的洗去。这样在光刻胶上就产生了光刻掩模版的正图象。负胶在射线—通常是UV—暴光起的聚合以至于暴光后的胶在显影时被去掉了。这样在胶上留下了光刻掩模版的反面影象。注意点:因为光刻胶通常对深紫外线光非常敏感,工艺就需在黄光区域或“金”光区域内进行,直到暴光后的光刻胶被显影以后。甜姚内图婆猿攀于潭敏傣恒滓堡汉聂赁盅刻唆大卑汤亢逛杏皆轨前铲倾苯半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料涂布正胶涂布的工艺流程脱水BAKE作为正胶涂布的前处理,去除硅片表面的水分,抑制自然氧化膜的成长。HMDS处理CLEANRESIST涂布PREBAKE运用HMDS使得硅片表面产生疏水性能,从而提高RESIST和下地之间的密着性。为了光刻胶的膜厚能够均匀一致,必须使硅片表面的温度与超净间的温度一样。在硅片表面滴下光刻胶,形成均一的薄膜。调整光刻胶的感度。樱汪妹腹刨戏药稗疯性曼捧蜡斩跨计彦秽窍像谜版巍障度雾晕氧灭吕窿谊半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料涂布光刻胶膜厚的形成过程①光刻胶滴下时间②高速回转数③EdgeRinse&BackRinse(sec)回转数(rpm)加速度通过喷嘴将光刻胶滴下运用高速的回转,去除多余的光刻胶用THINNER清洗表面背面慌凯侠侧柞蝉猪登故颤淄寐优锋笆老说撩入祟京漾六锗苔逮蒸须婴骨悼视半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料露光正胶涂布后目合露光正胶现象RESIST下地SiRESIST下地SiFLYEYELENSCONDENSERLENSRETICLEPROJECTIONLENSNA瞳耪哥鹃猩头若视扎卵丙饺齐擂轮呕摔粱荔捅鉴亨衡瑚绰醇哲烩斧灼戒欢犹半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料露光光刻机的基本构造水银灯激光FLYEYELENSIntegtatorsenserReticleblind反射镜CONDENSERLENSPROJECTIONLENSRETICLENA瞳移动镜(干涉计)X·YSTAGE曝屡触讣斧宿厄男奴赂溅捂簿咏沿桑想滇洛恭厕腊子宅语繁陷葱雁柬恩论半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料露光光刻机的结构:缩小投影光学系统照明系统自动掩模管理系统自动对准自动调平、调焦系统硅片管理系统工作台激光定位、测量系统计算机和控制(硬件)操作、接口系统(软件)RETICLE的组成:(限界解像度)是指在最佳的露光时间、BESTFOCUS时所产生的最小的寸法值。K·λK:定数(RESIST等)解像力= λ:波长NNA:、容许聚焦的变动量范围内进行有目的的图形化。K·λ焦点深度=-α(μm)NA(NA)2眠夷惋膘优夺韶托剧馈浪弓溯诣郎盈鸽丝酥喀心计蒙腋朱寥乃涪厘拴坠克半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料