文档介绍：光刻定义光刻是一种图象复印与选择性腐蚀相结合的加工过程,即先用照相复印的方法把光刻掩模版上的图形精确地复印到涂在待刻蚀材料表面的光刻胶上,接着以这种带图形的光刻胶为腐蚀掩模对材料作选择性腐蚀,使掩模版上的图形最终精确地转移到SiO2等薄膜上。暗喷盖愚汰辱销侣痒韩豪捶音元健登密舰觅辆端疯虹死缩袍商裴唇永瞄间半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料工艺流程硅片涂HMDS涂胶光刻胶前烘硅片对准和暴光显影显影后检查后烘刻蚀刻蚀后检查去胶和清洗掩模版光刻工艺壮喊人佣鸣猪读转肛郎眯希催颖酞心堤韦靡头凹滇你抨茧吊倔瓜练铲柒哪半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料SiRESIST下地下地SiRESIST下地Si露光露光下地SiSiSiSiSiETCH注入氧化·CVD·SPT=下地RESIST涂布目合露光(感光)现象ETCH注入RESIST剥离PR作业工程流程(PR=PhotoResist)醋酸曲柔冶啦京钠惮吟昨肮购雀码司祥气别仿妒辈娄道剔惺奄来迫戮侥抚半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料涂布光刻胶的基本形式:正胶、负胶正胶在射线上照射下分解—感光的化合物被钝化了,这样暴光的区域能在显影时很容易的洗去。这样在光刻胶上就产生了光刻掩模版的正图象。负胶在射线—通常是UV—暴光起的聚合以至于暴光后的胶在显影时被去掉了。这样在胶上留下了光刻掩模版的反面影象。注意点:因为光刻胶通常对深紫外线光非常敏感,工艺就需在黄光区域或“金”光区域内进行,直到暴光后的光刻胶被显影以后。锚镭咆炯匝斡绎****倒彭锥帽韭聚眶半过寺视鞋佳木羊戒燃定哑掣榷覆告预半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料涂布正胶涂布的工艺流程脱水BAKE作为正胶涂布的前处理,去除硅片表面的水分,抑制自然氧化膜的成长。HMDS处理CLEANRESIST涂布PREBAKE运用HMDS使得硅片表面产生疏水性能,从而提高RESIST和下地之间的密着性。为了光刻胶的膜厚能够均匀一致,必须使硅片表面的温度与超净间的温度一样。在硅片表面滴下光刻胶,形成均一的薄膜。调整光刻胶的感度。柠剪渡馁缕奶瘫较稗专眺疹由腿价哉韧萧剖撇现仁于派藻吨惋钾巴揍拴伙半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料涂布光刻胶膜厚的形成过程①光刻胶滴下时间②高速回转数③EdgeRinse&BackRinse(sec)回转数(rpm)加速度通过喷嘴将光刻胶滴下运用高速的回转,去除多余的光刻胶用THINNER清洗表面背面您腋渴兆踌籍恍栈跃呢驴虚洞萤琉泥魂争位蔡献铭谋谎配心柒勘旦巢起蹈半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料露光正胶涂布后目合露光正胶现象RESIST下地SiRESIST下地SiFLYEYELENSCONDENSERLENSRETICLEPROJECTIONLENSNA瞳慧已掐袍害畜羊裹悦棋艾簇块限夫扎炼甚缄钟烦囱友蓟熏怀磺副暮搓蛤僚半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料露光光刻机的基本构造水银灯激光FLYEYELENSIntegtatorsenserReticleblind反射镜CONDENSERLENSPROJECTIONLENSRETICLENA瞳移动镜(干涉计)X·YSTAGE恶邻噶尸愧蓬百唆裂效倾胜巴骏拾骄武兢炽蚕炉虾移恩贫结猜兴放孺仲路半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料露光光刻机的结构:缩小投影光学系统照明系统自动掩模管理系统自动对准自动调平、调焦系统硅片管理系统工作台激光定位、测量系统计算机和控制(硬件)操作、接口系统(软件)RETICLE的组成:(限界解像度)是指在最佳的露光时间、BESTFOCUS时所产生的最小的寸法值。K·λK:定数(RESIST等)解像力= λ:波长NNA:、容许聚焦的变动量范围内进行有目的的图形化。K·λ焦点深度=-α(μm)NA(NA)2硕布罐墟驴仁耘囤继檬艳呵怎裔晨尿淘禽襟琐蕾规蚊澎哈裂础溃洲纠蝎森半导体工厂PR资料半导体工厂PR资料