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舻V崩杵脑醭恋砭断蚍植田达晰曾俞衡+,,由于点缺陷分布情况的不同,混合型晶体中,,,使得大于起始温长大,,本文对鬘直拉片中的原生氧沉淀的径向分布情况做出了定性描述,并给出了相关的物向为⒛勘甑缱杪饰~·、目标等径长度25cm550mm目前,特征线宽为的集成电路已经进入量产300mmSiNSi强度以及空洞型缺陷易消除等优点,,NSiSi品化的鬘直拉片酝赜诓鬘直拉Si200mmSi[7~9],⑸,可以形成高密度的氧沉淀,而在片近表面形成一定宽度的洁净区;此外,随着氧浓度的增加,,,包括:(珻龋渲械闳毕菅跖ǘ扔删迳さ奶卣鞑问齳/硎揪迳に俣龋籊表示固/,晶体的冷却速度从中心到边缘逐渐升高,,在晶体生长过程中,)时,引入晶体中的点缺陷为空位,在这种条件下生长的单晶称为空位型单晶;反之,当疓小于该临界值时,引入晶体中的点缺陷为自间隙原子,,当晶体生长速度较低时,在晶体的径向上将有可能从空位型缺陷区过渡到问隙型缺陷区,,(6001000)(1150)si度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,,:氧沉(P)(V),:鬘直拉片;原生氧沉淀;径向分布中图分类号:A文章编号:区⑥中国电子学会(逃砍そд吆痛葱峦哦臃⒄辜苹批准号:,新世纪优秀人才支持计划己牛篘资助项目ㄐ抛髡撸瓻:甧.—.收到,..定稿V0129No1Jan2008:
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3寸的原生氧沉淀比賣⋯.而根据如前所述的结果,背跏嘉露任℃时,蚔区的氧沉淀较小的原生氧沉淀可以长大,而尺寸较小的那部分原生是在较低温度下由于。)新氧沉淀核心的形成在径向分布上几乎没有差别,,可以理600(2)800P场,:晶转为/鲎N~痬,保护气流量为刮.,磁场为,拉速随着晶体SiNArN101的不同部位取片,经过数道加工工艺,获得厚度为725ffmSiN质谱测量,跖ǘ仍1014cm3在实验中,取若干在硅晶棒上位置相邻的片,将每一Si4(1)妫℃,从不同的温度~℃℃/的速率缓慢升湿至℃)si3性的区域行母浇/浇捅咴蹈浇进行测量,lmm图龅氖侨∽圆鬘直拉晶体中部附近的(8004h+℃,(5mm)OSi20mm(即:距离中心附近的氧浓度更低一些,,这个氧沉淀异常区域对应着所谓的“氧化物粒子particle)(P区蛘咚凳恰把趸丈愦砘畆”.众所周知,阅诘那蛭?瘴恍畉缺陷区域,简VP(interstitial-type)1SiIyGNSi而言,通过妫℃,讲酵嘶鸷螅琍区的氧沉淀要弱于芯勘砻髡馐怯捎谠赑区中小尺300mmNSiPV鬘的混合型片经过妫℃,讲酵嘶鸷螅琍区的氧沉淀比灾鳾苤琋的引人对混合型片的原生氧沉淀产生了显著的影响,