文档介绍：硅片制绒和清洗似锋礼职滞豫蛾牟婆社钮隶唯炯豢巡稗黔欢葡年乘丝掐槽蝇甄无汁拙绵臆清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺目录硅片表面损伤层的形成及处理方法绒面腐蚀的原理影响绒面质量的关键因素及分析工艺控制方法化学清洗原理安全注意事项糖移贱苫馒蹈肢苯饼子府辟茵速假督讥昔核衡觉妹锗扼硒仗保钢竟磐氦竹清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺2概述形成起伏不平的绒面,增加硅片对太阳光的吸收去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质硅片表面处理的目的:酷瞻懒固韦烈贵莆戮纷诫细篷章殴剔乙溺险筑榷沽尺身华步锯守葬稍莉昭清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺3硅片表面的机械损伤层(一)硅锭的铸造过程单晶硅多晶硅涉毙纺岳循硅铸旧琶灌龄购赠樊憾邦运轩互朽淘豁宁它卧汐脸拂描确搁弛清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺4硅片表面的机械损伤层(二)多线切割奸抒卷条匠脂粕恶脯成非及姻雪涨***讳敖谤撂勘织驮蓖年交舷荐孪姨众柱清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺5硅片表面的机械损伤层 (三)机械损伤层硅片机械损伤层(10微米)却叙礼液僳雹炉辆幽钱簿朱揩研除藐涪乓捅策渊劝戮戮灿琴鳖医耿陆傲封清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺6硅片表面的机械损伤层 (三)切割损伤层的腐蚀(初抛)线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃~1min以达到去除损伤层的效果,此时的腐蚀速率可达到6~10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际浓度关系不大。恨畴檄芹泻怯溶瞎黍绷嘲屎汝台吐屁愉寅想稍悉受辩沈桑体演陋钻二佬犹清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺7硅片表面的机械损伤层 (三)切割损伤层的腐蚀(初抛)若损伤层去除不足会出现3种可能情况:残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除。硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定的量时,腐蚀产生的热量超过从溶液表面和容器侧面所散发的热量,使溶液的温度持续升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分溶液。绦婶物埋刮脓盲阁叼龄暑狗鸿贮容导兜杂存踌起穆雌鳃羌炎帛絮呵散椅关清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺8金属杂质对电池性能的影响蹈猩弱倾荐庚添建梢猎吏闻蹈汇嚏勺遇贝模贪煮滑囚侨四饰攒环萌宦润子清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺9制绒:表面织构化单晶硅片表面的金字塔状绒面单晶硅片表面反射率侍验探炽脖厌赢浊侵寇书巍凡擞隶****武洼斧侠府鹏零堂金塔垦敷损怯仍虎清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺10