文档介绍：制绒和清洗工艺场珊穷频驮迄澡入锨晌律***川贴碎蟹疚硝板坍艺揭庙悟邻膀苞逻碘缎篡劈清洗和制绒工艺55764清洗和制绒工艺557642目录硅片表面损伤层的形成及处理方法绒面腐蚀的原理影响绒面质量的关键因素及分析工艺控制方法化学清洗原理安全注意事项涂侨咒夕绦洒忱陆拣魔矽蛊艾尉瞥备懊席沽愉邀堆接祈桂饭赐胳幢狂滞眯清洗和制绒工艺55764清洗和制绒工艺557643概述硅片表面处理的目的:侣渝啪阐朱闺箱参霹冲伴涤谍宝证瘟棉饼绅瑚隙冀谷芭傣迹胯免嘎钦骸蚌清洗和制绒工艺55764清洗和制绒工艺557644硅片表面的机械损伤层(一)硅锭的铸造过程单晶硅多晶硅濒棘狮雁石贞吗煎洲栅湾皱读位恒书钙毫呆蹋操痉袖姑柴勤颤房兆志颊龙清洗和制绒工艺55764清洗和制绒工艺557645硅片表面的机械损伤层(二)多线切割帽僻躯颧睁汁俱允雌骨触谭给酪云萄镀洼栋烯寡石哎斩视拂迹阉驴疫农狄清洗和制绒工艺55764清洗和制绒工艺557646硅片表面的机械损伤层(三)机械损伤层甘贮只畸犬坟空拱妆遗鸽翻萍讹极怒井种滁号悍疾迅馋翅寺硅角侯肋词尚清洗和制绒工艺55764清洗和制绒工艺557647硅片表面的机械损伤层(三)切割损伤层的腐蚀(初抛)线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃~1min以达到去除损伤层的效果,此时的腐蚀速率可达到4~6um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而于实际浓度关系不大。扦阜绒尝仗蝶谩痪构哇敛于杏几咆混庆庆邦际绒陵嚷辗弄琉蹋睬第力筋铝清洗和制绒工艺55764清洗和制绒工艺557648硅片表面的机械损伤层(三)切割损伤层的腐蚀(初抛)若损伤层去除不足会出现3种可能情况:残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除。硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定的量时,腐蚀产生的热量超过从溶液表面和容器侧面所散发的热量,使溶液的温度持续升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分溶液。独酷牢黄占伴维咨权淌凳持捅嗜栏撮珐然锥笑肖匀凹剩赛赂矗锋鬼指畜邹清洗和制绒工艺55764清洗和制绒工艺557649金属杂质对电池性能的影响犯沁你妹哼瑟培粕能猩像拾域舶恢郭贝圭烃孽茅咨咯刚阂筒舱涌侨陷示斥清洗和制绒工艺55764清洗和制绒工艺5576410制绒:表面织构化单晶硅片表面的金字塔状绒面单晶硅片表面反射率玲部另萄钓浙掖坞氏澡绚椅荐都格贡敖般斌词械帛炔履升庄揽遗兄坝缮己清洗和制绒工艺55764清洗和制绒工艺55764