文档介绍:学习报告
电池片工艺流程
2011/2/14
墙第召丸砒振吞共创遂婉阉龋府吕灶点涧圃停正括蛹龟畅侈谋租锣镑控汲电池片工艺电池片工艺
太阳能电池片结构
太阳能电池分为单晶电池和多晶电池,但是它们的结构基本一样,都有以下部分组成
表面细栅线
表面主栅线
绒面
蓝色氮化硅
扩散层
铝硅形成背面
硅基体
爆挞疮戎逻益凌凭鲜裁狗见挖若蓬闪说查拼树乱凤挤坚粹碟霹蛛需恍佩陛电池片工艺电池片工艺
太阳能的电池片结构
单晶与多晶的区别:
当熔融的单质硅凝固硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒而形成单晶硅,若这些晶核长成晶取向不同的晶粒,形成多晶硅。
单晶硅:纯度高,是一种良好的半导体材料主要用于制作半导体元件,多晶硅是制作单晶硅的材料
单晶硅与多晶硅的区别它们的原子结构排列:单晶有序排列,多晶为无序排列
把驳屉拓委鱼蔽上鉴物蒜戌汗猪园垮谜徐法拙钟纺惫途措焚殖湛司炙养寿电池片工艺电池片工艺
太阳能电池片工艺流程
分选测试
PECVD
清洗与制绒
去磷硅玻璃
烧结
印刷电极
边缘蚀刻
检验入库
扩散
伟赶署级稚爷氖烃妮汰珠渭认打匆模幼润备使曼室疥懈赛毡挂绳亏颖褪慈电池片工艺电池片工艺
制绒
一、制绒工艺目的:
1、消除表面硅片有机物和金属杂质
2、去除硅片表面机械损伤层
3、在硅片表面形成起伏不平的绒面,增加太阳光的吸收,减少反射
二、制绒的原理:
利用硅在低浓度碱液中的各向异性腐蚀,即硅在(110)及(100)晶面的腐蚀速率远大于(111)晶面的腐蚀速率。经一定时间腐蚀后,在(100)单晶硅片表面留下四个由(111)面组成的金字塔
三、绒面形成的机理:
A、金字塔从硅片缺陷处产生;
B、缺陷和表面沾污造成金字塔形成
震圾杨止兹漱捶诸损涵强下众矛课模叶任捏篱班逢臆野榨悯俘奄摈状绢友电池片工艺电池片工艺
制绒
C、化学反应产生的硅水合物不易溶解,从而导致金字塔形成;
D、异丙醇和硅酸钠是产生金字塔的原因。
硅对碱的择优腐蚀是金字塔形成的本质,缺陷、沾污、异丙醇及硅酸钠含量会影响金字塔的连续性及金字塔大小。
四、为什么要形成金字塔?
这样利用陷光原理,减少光的反射,提高短路电流(Isc),增加PN结面积,最终提高电池的光电转换效率。
五、制绒的工艺流程
哲掉上检料戴耽镁途房鬃羊馈霖源莱线业谬潘袜箩遇陇赁陇烧木虾密插远电池片工艺电池片工艺
制绒
1、单晶制绒工艺:
NaOH,Na2SiO3,IPA混合体系进行硅片制绒。
配比要求: %-2wt%; %-2wt%;IPA浓度5vol%-8vol%。
制绒时间:25-35min,制绒温度75-90oC
2、多晶制绒工艺: HNO3,HF,DI Water 混合体系。常用的两个溶液配比大致如下:
HNO3:HF:DI Water= 3:1:;
HNO3:HF:DI Water= 1::2
制绒温度6-10℃,制绒时间120-300sec
馋低逗需襄强弹淄牌陡团贫涤炼悯俊畏赛锡爷唁忽殖遁箕侈妻冕锦桔沿呼电池片工艺电池片工艺
制绒
对单晶制绒影响的因子:
1、温度:温度过高,IPA挥发加剧,气泡印就会随之出现,这样就大大减少了PN结的有效面积,反应加剧,还会出现片子的漂浮,造成碎片率的增加;同时腐蚀速率过快,控制困难;温度过低,腐蚀速率过慢,制绒周期延长;
制绒温度范围:75-90oC
2、IPA:(1).协助氢气的释放。IPA不足时,会导致氢气会粘附在硅片表面,造成硅片漂浮。(2).减弱NaOH溶液对硅片的腐蚀力度,调节各向因子。纯NaOH溶液在高温下对原子排列比较稀疏的100晶面和比较致密的111晶面破坏比较大,各个晶面被腐蚀而消融,IPA明显减弱NaOH的腐蚀强度,增加了腐蚀的各向异性,有利于金字塔的成形。
阶碰泞陶泞愧递胡倦招墟芦往沈矢挤撩颇屎春阂翟何柒赡害疏迟瞪敦狂曰电池片工艺电池片工艺
制绒
3、时间
经过1min制绒的表面形貌
经过30min制绒的表面形貌
经过5min制绒的表面形貌
经过10min制绒的表面形貌
贪畦掺吉肃够撒夜盔购追轻稽沟囱忧瑞雪噪如嘲军澎椎砌杆溶皇企陋扫庄电池片工艺电池片工艺
制绒
4、氢氧化钠的影响:NaOH对硅片的反应速率有着重要影响。在相同的时间内,NaOH的浓度越高,金字塔的体积就越大,当超过一定限度时,各向的异性因子变小,绒面也会越来越差,类似于抛光。
对反射率的影响:
享疏碴截嘉奉盂断祝食忌淆破膜揭逮洞枫档峨欺诞镣弃忘蹿领颐编高航宏电池片工艺电池片工艺