文档介绍：电池片加工工艺
电池片的加工工艺
（一）单晶硅片加工工艺主要为：切断→外径滚圆→切片→倒角→研磨→腐蚀、清洗等。
电池片加工工艺
　
切断又称割断，是指在晶体生长完成后，沿垂直于晶体生长的方向切去晶体硅头尾无用部分，即头部的籽晶和放肩部分以及尾部的收尾部分。通常利用外圆切割机进行切割，刀片边缘为金刚石涂层，这种切割机的刀片厚，速度快，操作方便；但是刀缝宽，浪费材料，而且硅片表面机械损伤严重。目前，也有使用带式切割机来割断晶体硅的，尤其适用于大直径的单晶硅。
电池片加工工艺
电池片加工工艺
2. 外径滚圆
在直拉单晶硅中，由于晶体生长时的热振动、热冲击等原因，晶体表面都不是非常平滑的，也就是说整根单晶硅的直径有一定偏差起伏；而且晶体生长完成后的单晶硅棒表面存在扁平的棱线，需要进一步加工，使得整根单晶硅棒的直径达到统一，以便于在后续的材料和期间加工工艺中操作。
电池片加工工艺
3. 切片
在单晶硅滚圆工序完成后，需要对单晶硅棒切片。太阳电池用单晶硅在切片时，对硅片的晶向、平行度和翘曲度等参数要求不是很高，只需对硅片的厚度进行控制。

将单晶硅棒切割成的晶片，晶片锐利边需要修整成圆弧形，主要防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生
电池片加工工艺

切片后，在硅片的表面产生线痕，需要通过研磨除去切片所造成的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的翘曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程处理的规格。
、清洗
切片后，硅片表面有机械损伤层，近表面晶体的晶格不完整；而且硅片表面有金属粒子等杂质污染。因此，一般切片后，在制备太阳电池前；需要对硅片进行化学腐蚀。
电池片加工工艺
在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是腐蚀后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。
（二）多晶硅加工工艺主要为：开方→磨面→倒角→切片→腐蚀、清洗等。
电池片加工工艺

对于方形的晶体硅锭，在硅锭的切断后，要进行切方块处理，即沿着硅锭的晶体生长的纵向方向，将硅锭切成一定尺寸的长方形的硅块。

在开方之后的硅块，在硅块的表面产生线痕，需要通过研磨除去开方所造成的锯痕及表面损伤层，有效改善硅块的平坦度与平行度，达到一个抛光过程处理的规格。