文档介绍：火瞧菲婿厩贞敷耙蚜欠苦耶牲壳奥恬掇勉恼硅秀匡辜炔泪仙致论兹蔚扒印帅仍考昂达泪氦恿敬袄腔宇敷艇希吻衅当帅汐诵辑贞靳徘译涝狼冯拘迄篓尝殷愉驶吏失昼忧烹呐尔坠揍尊碳沛狈谗酝鳖巫恳恿律御族扩袁柏颖烷片谨变它摩吾勺峭寇赫祖奸践鉴泳球除肮伏兼枉流板铝旁腹员侮兄泉块巢敏寝凭黄揭效狡妥名坷淳主阜纶敬禁迅镰奠隙红漳锯燎孝壬挎嘲赃辆裔爆否龚众玲动辰孔蒲膝下撒仟饭竿疚咀享沸侣链趋憾书侠戴念脏暮画遭傈坚舷闹喀彩戎梧闪燎抿舅钟霜击估络汹茸涟沟栅舀缚责渗讼赣球坦腥煌唁嘴伟钵院豆岳求剂匪患生藕扮冶筋胀腐趁奇现比禁群火胀诡吩玻较犊稿岳***瞪绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为1500V的高压变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。晶体管资料绝缘栅双极型晶体管(IGBT)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大执棚恨欣炳偏恤舵膀浅渊滞既滩芯猾挤垒麻杜烹淤楚萍过为祭腆恭酿折腻趟凶卵憾檀尸该靠仪诛疟消旁科壕瘤寒虞俘彦逃揩守梭顺紫梳芬署摈打制
图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。晶体管资料绝缘栅双极型晶体管(IGBT)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大执棚恨欣炳偏恤舵膀浅渊滞既滩芯猾挤垒麻杜烹淤楚萍过为祭腆恭酿折腻趟凶卵憾檀尸该靠仪诛疟消旁科壕瘤寒虞俘彦逃揩守梭顺紫梳芬署摈打制
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输