文档介绍：ASIC发展一、集成电路工艺的发展的特点和规律二、IC发展方向与我国IC的发展情况九十年代以来,集成电路工艺发展非常迅速,已从亚微米()进入到深亚微米(),进而进入到超深亚微米()。其主要特点:?特征尺寸越来越小?芯片尺寸越来越大?单片上的晶体管数越来越多?时钟速度越来越快?电源电压越来越低?布线层数越来越多?I/O引线越来越多一、集成电路工艺的发展特点和规律年份1997 1999 2001 2003 2006 2009 (μm)DRAM容量 256M 1G 1G~4G 4G 16G 64G 256G每片管数(M) 1121 40 76 2005201400芯片尺寸 300 440 385 430 520 620 750 (平方毫米)频率(兆赫) 7501200 1400 16002000 2500 3000金属化层数6 6-7 7 7 7-8 8-9 - - - - -- -(v)最大晶圆直径200 300 300 300 300450 450(mm)1、发展规划代次的指标? Moore Law --- Min. transistor feature size decreases by every three years --- True for at least 30 years! (first published in 1965)?1997 National Technology Roadmap for SemiconductorsTechnology (um)# transistors11M21M40M76M200M520MOn-Chip Clock (MHz)75012001400160020002500Area (mm2)300340385430520620Wiring Levels66-7777-88-92、Moore’s Law and Future IC echnologies3、(微米)工艺尺寸4、单个芯片上的晶体管数0100200300400500600199719992001200320062009晶体管数(M)晶体管数5、芯片面积0100200300400500600700199719992001200320062009芯片面积(平方毫米)芯片面积6、(v)Vdd 7、金属布线层数012345678910199719992001200320062009金属层数金属层数