文档介绍：线性电子电路
文凤
书山有路勤为径
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第二章晶体三极管
第二章晶体三极管
概述
晶体三极管的其它工作模式及其电路模型
晶体三极管伏安特性曲线
埃伯尔斯—莫尔模型
晶体三极管的应用原理
放大模式下晶体三极管的工作原理及电路模型
晶体三极管小信号电路模型
晶体三极管电路分析方法
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第二章晶体三极管
概述
晶体三极管又称双极型晶体管(Bipolar Junction ransistor :BJT),简称三极管。
一、三极管的种类很多:
按材料分:硅三极管和锗三极管;
无论那种类型的三极管,都是由两个靠得近且背靠背排列的PN结组成。按排列方式不同,三极管分为NPN和PNP管。
按功率分:小功率、中功率和大功率管等
按结构分: NPN型管和PNP型管;
按频率分:高频管和低频管;
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第二章晶体三极管
N+
N
P
集电结Jc
发射结Je
发射极e
集电极c
基极b
发射区
集电区
基区
P+
发射区
N
基区
P
集电区
发射极e
基极b
集电极c
三极管结构示意图及电路符号
NPN管
PNP管
三极管内部结构特点:发射区高掺杂;基区很薄;集电结面积大
结构示意图:
电路符号:
:
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第二章晶体三极管
从结构看:
从电路符号看:
无论是NPN还是PNP管,都有两个PN结,三个区,三个电极。
除了发射极上的箭头方向不同外,其他都相同,但箭头方向都是由P指向N,即PN结的正向电流方向。
三、三极管的工作状态及其外部工作条件
发射结正偏,集电结反偏:放大模式
发射结正偏,集电结正偏:饱和模式
发射结反偏,集电结反偏:截止模式
(最常用)
(用于开关电路中)
在黑板上结合例子讲解
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第二章晶体三极管
总结:
在放大电路中三极管主要工作于放大状态,即要求,发射结正偏(正偏压降近似等于其PN结的导通压降),集电结反偏(反偏压降远远大于其导通电压才行)。
对NPN管各极电位间要求:
对PNP管各极电位间要求:
Ve<Vb < Vc
Ve>Vb>Vc
管子类型判别例子(黑板)
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第二章晶体三极管
发射结正偏:保证发射区向基区发射多子。
发射区掺杂浓度>>基区:减少基区向发射区发射的多子,提高发射效率。
基区的作用:将发射到基区的多子,自发射结传输到集电结边界。
基区很薄:可减少多子传输过程中在基区的复合机会,保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。
集电结反偏、且集电结面积大:保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区,形成受控的集电极电流。
总结
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ICBO
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ICn
IE
IC
IB
和IE的比值来衡量管子的质量
且令
Je正偏,以扩散运动为主
Jc反偏,以漂移运动为主
第二章晶体三极管
β表示,受发射结电压控制的基极电流IB对集电极电流IC的控制能力。
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第二章