文档介绍：硅光电池特性测试实验一、实验目的1、学****掌握硅光电池的工作原理2、学****掌握硅光电池的基本特性3、掌握硅光电池基本特性测试方法4、了解硅光电池的基本应用二、实验内容1、硅光电池短路电路测试实验2、硅光电池开路电压测试实验3、硅光电池光电特性测试实验4、硅光电池伏安特性测试实验5、、硅光电池时间响应测试实验7、硅光电池光谱特性测试实验三、实验仪器1、光电探测综合实验仪1个2、光通路组件1只3、硅光电池封装组件1套4、光照度计1台5、2#迭插头对(红色,50cm)10根6、2#迭插头对(黑色,50cm)10根7、三相电源线1根8、实验指导书1本9、20M示波器1台四、实验原理1、硅光电池的基本结构目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用,硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元,深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。零偏反偏正偏图4-﹑反偏﹑正偏下的耗尽区图4-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区,当P型和N型半导体材料结合时,由于P型材料空穴多电子少,而N型材料电子多空穴少,结果P型材料中的空穴向N型材料这边扩散,N型材料中的电子向P型材料这边扩散,扩散的结果使得结合区两侧的P型区出现负电荷,N型区带正电荷,形成一个势垒,由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行,当两者达到平衡时,在PN结两侧形成一个耗尽区,耗尽区的特点是无自由载流子,呈现高阻抗。当PN结反偏时,外加电场与内电场方向一致,耗尽区在外电场作用下变宽,使势垒加强;当PN结正偏时,外加电场与内电场方向相反,耗尽区在外电场作用下变窄,势垒削弱,使载流子扩散运动继续形成电流,此即为PN结的单向导电性,电流方向是从P指向N。2、硅光电池的工作原理硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。光电池的基本结构如图3,当半导体PN结处于零偏或反偏时,在它们的结合面耗尽区存在一内电场,当有光照时,入射光子将把处于价带中的束缚电子激发到导带,激发出的电子空穴对在内电场作用下分别飘移到N型区和P型区,当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。流过PN结两端的电流可由式1确定图4-(1)中Is为饱和电流,V为PN结两端电压,T为绝对温度,Ip为产生的光电流。从式中可以看到,当光电池处于零偏时,V=0,流过PN结的电流I=Ip;当光电池处于反偏时(在本实验中取V=-5V),流过PN结的电流I=Ip-Is,因此,当光电池用作光电转换器时,光电池必须处于零偏或反偏状态。光电池处于零偏或反偏状态时,产生的光电流Ip与输入光功率Pi有以下关系:式(2)中R为响应率,R值随入射光波长的不同而变化,对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长,在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙Eg,以保证处于介带中的束缚电子得到足够的能量被激发到导带,对于硅光电池其长波截止波长为λc=,在短波长处也由于材料有较大吸收系数使R值很小。3、硅光电池的基本特性(1)短路电流图4-3硅光电池短路电流测试如图4-3所示,不同的光照的作用下,毫安表如显示不同的电流值。在不同的光照作用下,硅光电池短路时的电流值也不同,即为硅光电池的短路电流特性。(2)开路电压图4-4硅光电池开路电压测试如图4-4所示,不同的光照的作用下,电压表如显示不同的电压值。在不同的光照作用下,硅光电池开路时的电压也不同,即为硅光电池的开路电压特性。(3)光照特性光电池在不同光照度下,其光电流和光生电动势是不同的,它们之间的关系就是光照特性。如图4-5所示即为硅光电池光生电流和光生电压与光照度的特性曲线。在不同的偏压的作用下,硅光电池的光照特性也有所不同。.-5硅光电池的光照电流电压特性(4)伏安特性如图4-6,在硅光电池输入光强度不变时,测量当负载一定的范围内变化时,光电池的输出电压及电流随负载电阻变化关系曲线称为硅光电池的伏安特性。其特性曲线如下图4-6所示图4-6硅光电池伏安特性检测电路图如下图4-7所示:图4-7硅光电池的伏安特性测试(5)负载特性(输出特性)光电池作为电池使用如图4-8所示。在内电场作用下,入射光子由于内光电效应把处于介带中的束缚电子激发到导带,而产生光伏电压,在光电池两端加一个负载就会有电流流过,当负载很小时,电流较小而电压较大;当负载很大时,电流较大而电压较小。实验时可改变负载电阻RL的值来测定硅光