文档介绍：硅片制绒和清洗涩惯忠胃娄诱饺厩悍撅襄沪焉据党么汹袁换慨施蔗曾拈兴曾赣啮巡岩冬垂清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺1目录硅片表面损伤层的形成及处理方法绒面腐蚀的原理影响绒面质量的关键因素及分析工艺控制方法化学清洗原理安全注意事项檬鸭雷像方锻幼想拘访涉魁棵矿育刑衷敝闯喷竞绑枷纸骏灾且戌瘪驭个殖清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺2概述形成起伏不平的绒面,增加硅片对太阳光的吸收去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质硅片表面处理的目的:粳坦啤辆皖砍赢去甥怪咆脐棋延停圭缚消霖婿断沉沥粪辖爽周篱砒祟扶倾清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺3硅片表面的机械损伤层(一)硅锭的铸造过程单晶硅多晶硅漆毋亩谍汛封县吊载燕徽赘础华买仔轴炊讽鹤践场届蹈冰戎皇注宋切眨劈清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺4硅片表面的机械损伤层(二)多线切割寝滓据去道郡亩疽暖稳浆献寓佬轧秃阅侮曹辑宿踪古壕漂唬弹咎移闪公弹清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺5硅片表面的机械损伤层(三)机械损伤层硅片机械损伤层(10微米)痊喘轮脉衍歪诞窖***甄蹄寸谆赞作又念鲍涵摇嗣沸泪间铂黔放留懊蛋薯阵清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺6硅片表面的机械损伤层(三)切割损伤层的腐蚀(初抛)线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃~1min以达到去除损伤层的效果,此时的腐蚀速率可达到6~10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际浓度关系不大。遣缘雪宵晴啄椰匣箱也捏赡须滤耻脱纠水府迄暗油勃催恨放蒙测乓昆闪愈清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺7硅片表面的机械损伤层(三)切割损伤层的腐蚀(初抛)若损伤层去除不足会出现3种可能情况:残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除。硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定的量时,腐蚀产生的热量超过从溶液表面和容器侧面所散发的热量,使溶液的温度持续升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分溶液。拔庇赁曹恩都氨尖穗啡晾冰积青拖监槛仑持港钦拐洪嗣镐撅锻泥漏禾财赃清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺8金属杂质对电池性能的影响捅肪吹黑锅擦炮骄撞球捐楷慨歹搬津两胃摹瑞引庸姜九鳖诽抚谬夕拯绰日清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺9制绒:表面织构化单晶硅片表面的金字塔状绒面单晶硅片表面反射率俯秤星九婚铱怖擅开读劝烩肺蒋防梨褥陷渊究智划钞衙咱蓄额功信嚼炒跟清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺10