文档介绍：出现过一种降级的电池片,是由于刮刀有缺口,造成三根主栅上都有一条突起的刮痕,容易引起包装碎片和焊接碎片,希望各班引以为戒,发现相似的问题,及时更换刮条。G档分类1、扩散面放反:Uoc:—  Isc:1左右  Rs:100-200左右   Rsh:10以内,约为1FF:50以内(30-40)   Irve1:12(也有正常的)   Ncell:2%左右主要参数特征:Irev1>12,Rs>100,Isc=1左右。解释:扩散时下面和背面都成N型,但背面N型扩散的结浅,扩散面放反后,原下面的N型被Al掺杂为P型,原背面的浅结很容易被烧穿。2、部分扩散:Uoc:—  Isc:3—4   Rs:10—20   Rsh:10以内FF:50-60左右    Irev1接近12   Ncell:10%左右主要参数特征:Isc减小,Rsh<5,η=10解释:与上一个情况类似,下面有很多浅的结(被遮住的部分),形成局部烧穿漏电。3、  Isc:3左右  Rs负的  Rsh:0  Irev1>12Ncell<1%    FF:24—25主要参数特征:Rs=-30mΩ, Rsh=0, Irve1>124、-  Isc:5左右  Rs-20左右  Rsh:0  Ncell:2-3%    FF:100—200 主要参数特征:Rs<0, Rsh=0, FF>100, Irev1=:N型片背面印刷铝浆后成为P+型,下面扩散后形成N+型,从而产生电流。5、-  Isc:4左右  Rs:20左右  Rsh:10-20  Ncell:10%左右 FF:50—60  Irev1接近1主要参数特征:Rs偏大, Isc偏小, Rsh偏小 解释:方块电阻不均的直接影响就是薄层电阻,此外应为方块电阻偏大,致使薄层电阻偏大,串联电阻增大。6、  Isc:3左右  Rs:-  Rsh:  Ncell:1%左右 FF:24多一点 Irev1>127、  Isc:(正常偏低)  Rs=0或为负  Rsh<10或为0Ncell:为0    FF:300-800  Irev1接近12或大于12主要参数特征:电压和电流基本为0,串联电阻为0.      解释:没有P-N结。8、  Isc:  Rs=3-6  Rsh:60-90  Ncell:10%左右 FF:50左右  Irev1<:串联电阻偏大,短路电流偏小,并联电阻偏大解释:玻璃粉偏少,银不能与硅充分结合,从而增大了串联电阻。并联电阻的增大是由于复合中心的减少(一般在金属电极与硅接触的地方会形成复合中心)。9、  Isc:1左右  Rs=0左右  Rsh:1-2  Ncell:1-2%左右 FF:30-40  Irev1>1210、刻过,将PN结腐蚀掉了。Irev1很大。11、-  Isc:-  Rs:-2000左右  Rsh:1-4 Ncell:1左右 FF:30-40   Irev1>12主要参