文档介绍：西安理工大学
硕士学位论文
SJ MOSFET特性分析与设计
姓名:孙军
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:王彩琳
20080301
釜摘论文题目:特性分析与设计学科专业:微电子学与固体电子学研究生:孙军指导教师:王彩琳副教授要签名:是由峁褂氤嘟岷隙⒄蛊鹄吹囊恢中滦偷墓β穿机理和特性分析入手,利用砑D饬薙结构,分析了新结构的各项特性与关键工艺。主要研究内容如下:首先,研究了的击穿机理和击穿特性。结果表明,的峰值电场出现在横向的特性及其影响因素。结果表明,柱区厚度、浓度及宽度密切相关。只要蚽柱区能维持电荷平衡,则愫穸鹊谋戎翟龃螅鞔┑缪乖龃蟮姆戎鸾ゼ跣。珺层对击穿电压和导通电阻通和开关特性上都有明显改善。的辞蛃辛斯ひ漳D猓关键词:电力半导体器件;功率;超结;电荷平衡;小角度注入摘要,被称为功率的里程碑,有广阔的发展前景,目前在国内尚无产品开发。本文较为系统地分析了的结构、原理和特性及其制造工艺。,给出了关键参数的设计方法。并提出了一种新的用氧化物填充的扩展沟槽栅结面中部,并随柱区浓度的增加,从横向结面中部转移到纵向结面中部。在此基础上,讨论了电荷非平衡对击穿电压的影响。第二,分析了的特性与的耐压只与柱区厚度有关,并随柱区厚度的增加而增大。当柱区浓度的增加到某一临界值时,的耐压开始急剧下降;且减小柱区宽度有利于降低导通电阻。并提出了两种设计方案,给出了按最小导通电阻设计和最小工艺成本设计的关键参数提取方法。第三,。结果表明,随着柱区厚度与的影响越小。第四,提出了一种新的用氧化物填充的扩展沟槽栅结构,对其特性进行了分析,并与传统的沟槽栅结构进行了比较。结果表明,新结构在阻断、导第五,根据特性设计结果,对并对新结构的工艺实现方法进行了分析,给出了用小角度注入形成墓ひ仗跫该研究成果对进一步研究新结构和开发器件有一定的参考价值。
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垮文作者躲五鉴导痈躲雄枷等隆叭论文作者鎏名:,.虿盆显一。#槐救艘淹ü畚牡拇鸨纾秉承祖国优良道德传统和学校的严谨学风郑重申明:救怂式坏难宦畚氖俏个人在导师指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知,除特别加以标注和致谢的地方外,’论文中不包含其他人的研究成果。胛襙同工作的同志对本文所研究的工作和成果的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并已致谢。本论文及其相关资料若有不实之处,由本人承担一切相关责任并已经在西安理工大学申请博士/.硕士学位。救俗魑Q宦畚闹魅ㄓ涤姓撸授权西安理工大学拥有学位论文的部分使用权,’即:鸦裱坏难芯可囱9娑提交印刷版和电子版学位论文,,学校可以采用影印、缩印或其他复制手段保存研究生上交的学位论文,.·可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索;为教学和科研目的,学校可以将公开的学位论文或解密后的学位论文作为资料在图书馆、资料室等场所或在校园网上供校内师生阅读、浏览。本人学位论文全部或部分内容的公布ǹ授权西安理工大学研究生部办叼理。C艿难宦畚脑诮饷芎螅视帽臼谌ㄋ得‘一;一’’,‘
髀区的电阻将升高,导致器件的导通电阻病增加,通态功耗增大。牖鞔┑缪笲功率特点及其发展%ィ蕴岣咦爸玫母飨罴际跣阅芎椭副昶鹱胖匾5淖饔谩5缌Π氲继迤骷多个功率器件与其驱动、保护等电路集成在一个硅片上或一个模块上,形成了功率集成。因而,大功率、高频化、低功耗、场驱动控制成为电力半导体器件发展的重要特征。变了整个电力半导体器件的面貌,从而使电力电子学的范围跨入了过去未曾涉足的信息领并联使用等诸多优点,使其在工业控制、航天、通信、汽车、计算机及便携式电器、家电、办公用品等领域得到了广泛应用,尤其是在开关电源方面的应用取得了迅速发展,大大提等结构的演化后,目前仍以峁刮V鳎季莞咂怠⑿」β柿煊虻挠τ檬谐哂械团ǘ取⒔虾竦钠魄5牵孀牌魄穸鹊脑黾雍团ǘ鹊慕档停间约成次方关系,即⋯。可见,当提高时,两者之间矛盾会加剧。为现代电力电子技术对航天、通信、计算机、家用电器等高技术产业都至关重要,已发展成为懒⒌难Э疲溆τ昧煊蚣负跎婕暗焦窬玫母鞲霾挡棵拧5缌Π氲继迤件作为电力电子技术的一个重要分支,近十年来取得了快速的发展。特别是电力半导体器件高频化极大地促进了高频电力电子技术水平的提高,进一步拓展了其应用范围。在现代电力电子装置中,作为核心部分的电力半导体器件虽然只占整机的总价值发展大致可以分为三个阶段。第一阶段是六十到七十年代,各种类型的晶闸管和大功率达林顿晶体管有很大的发展,可称为双极型的年代。其服务对象是以工业应用为主,包括电力系统,机车