文档介绍：辽宁师范大学
硕士学位论文
ZnO纳米线场效应晶体管的制备及IV特性研究
姓名:张威
申请学位级别:硕士
专业:原子与分子物理
指导教师:李梦轲
20090501
中文椒氧化锌擅紫叩闹票负吞匦匝芯渴堑苯衲擅卓萍甲钪匾5难芯咳鹊恪1韭壅在调研总结国内外半导体材料擅紫叩闹票负托灾剩芯课南椎幕∩希捎没学气相沉积ǎ票噶烁呷∠虻腪纳米线,并研究分析了擅紫咧票工艺,生长机理,及相关特性研究,制备了擅紫叱⌒в骞堋6灾谱鞯牟磺况下的场效应晶体管,进行了特性曲线的研究。获得了一些研究结果。捎肅法,以摩尔比为:的ǎ琙勰┪T希刂莆℃备的样品利用透射电镜璧缱拥缇,湎哐苌,光致发光等测试手段进行相应的分析和表征。赟先妊趸ひ徊鉙挡悖萌日舴⒌姆椒ㄔ赟隙浦平鹗薄膜,利用传统的离子刻蚀技术,在金属膜上刻饰出宽度大约为,的隔离沟道,分别作为源极和漏极,背面层作为栅极。采用静电探针和原子力探针技术,将单根擅紫叽罱釉诠档懒蕉耍菇ǔ鯶纳米线绝缘栅场效应晶体管,并对不同情况下的场效应晶体管进行Ⅳ特性曲线的测定。馐苑⑾郑琙纳米线与金属沟道的接触特性是影响擅紫叱⌒в躀性的主要因素。直径较小的纳米线与沟道膜问较易形成电阻较小的肖特基接触,其曲线都呈较规则的对称分布特性。而直径较大纳米线组装的器件,因与金属沟道接触不易稳定,可能在两个接触点处形成接触电阻较大、势垒高度差异较大的的肖特基结,器件的曲线易表现出正向偏压电流远大于反向偏压电流的整流特性。实验也发现栅压是控制场效应晶体管的重要因素。我们的研究也表明擅紫叩淖贤饷舾刑匦允沟弥票傅擅紫叱⌒в芏宰贤夤庹找灿薪锨康拿舾凶饔茫庖馕蹲耪庵制骷捎糜谧贤夤检测敏感器件或光开关。关键词:擅紫撸换喑粱怀⌒в骞埽籌魈匦条件下,在镀有金膜的片上生长出,结构均匀、取向性良好的擅紫撸陨鲜鲋擅紫叱⌒в骞艿闹票讣癐匦匝芯
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学位沦文作者签名:兰煎盛D辍卧堕盛学位论文独创性声明学位论文版权的使用授权书本人承诺:所呈交的学位论文是本人在导师指导下所取得的研究成果。论文中除特别加以标注和致谢的地方外,不包含他人和其他机构已经撰写或发表过的研究成果,其他同志的研究成果对本人的启示和所提供的帮助,均已在论文中做了明确的声明并表示谢意。学位论文作者签名:本学位论文作者完全了解辽宁师范大学有关保留、使用学位论文的规定,及学校有权保留并向国家有关部门或机构送交复印件或磁盘,允许论文被查阅和借阅。本文授权辽宁师范大学,可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库并进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文,并且本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。保密的学位论文在解密后使用本授权书。指导教师签名:签名期:
第一章绪论统,研究纳米尺度材料的新的特性缱印⑽锢怼⒒А⑸镅У的科学。纳米科学与技术是科学发展跨时代的主要内容之一,是一个融科学前沿和高技术于一体的完整的科学技术实践体系,是世纪高科技的基础。现在它的学科划分包括七个主要部分:征测量学。纳米线材料是纳米材料体系中的一个重要分支,因为纳米线材料在介观物理和纳米器件兄品矫嬗蟹浅V匾5挠τ们熬啊=昀矗晃哪擅撞牧先缒擅坠埽米线殉晌D擅卓蒲а芯康娜鹊悖晃擅撞牧系钠嬉煳锢怼⒒匦院驮诠菇擅级电子【亢凸獾缱悠骷】方面的巨大应用潜力推动了纳米线的生长和特性研究。纳米材料的量子尺寸效应【浚〕叽缧вΑ】’表面效应吲和界面效应【使其具有一系列优异的电、磁、光、力学和化学等宏观效应,使材料在电学、机械、化学和光学方面出现面的研究。我国著名科学家钱学森在年就曾预言“纳米左右和纳米以下芯苛近年来,随着集成电路加工技术的不断发展,器件加工尺度已进入范畴,当今纳米尺度新型半导体材料和器件的制备和特性研究越来越成为半导体器件领域的研究产制造等特点。对开发新型半导体器件有很大的参考和价值,对未来的集成电路工业的近来纳米氧化锌氲继宀牧系挠τ醚芯恳殉晌J澜绶段诎氲继宀牧狭煊的研究热点。强斫氲继宀牧希椅孪陆矶菶ぷ邮磕茉嘉型娲鶪材料【,在发光和敏感器件的生产中得到应用。目前,世界范氲继宀牧系难芯引言纳米技术是在纳米尺度上通过控制物质性质制造或创造新型功能材料、器件和系纳米电子学,纳米物理学,纳米化学,纳米生物学,纳米材料学,纳米机械学和纳米表了独特的性能。目前世界各国都将此方面的研究列为重点发展项目。我国也很重视此方域处于国际领先地位。热点。通过将碳纳米管⒐枘擅紫叩劝氲继迥擅紫苯哟罱釉诮鹗舾衾牍档赖缂端,世界上多个研究组已制作出了纳米尺度的新型场效应晶体管【,研究发现,这种由单根半导体纳米线组装的新型场效应晶体管【哂兄票腹ひ占虻ィ杀镜停子谏发展