文档介绍：分类号:TB32、O469 密级:
UDC: 编号:
工学硕士学位论文
准一维 AlN 纳米材料的制备和发光性能
研究
硕士研究生:王楠
指导教师:沈龙海
学科、专业:物理电子学
沈阳理工大学
2013 年 3 月
分类号:TB32、O469 密级:
UDC: 编号:
工学硕士学位论文
准一维 AlN 纳米材料的制备和发光
性能研究
硕士研究生:王楠
指导教师:沈龙海
学位级别:工学硕士
学科、专业:物理电子学
所在单位:理学院
论文提交日期:2012 年 12 月
论文答辩日期:2013 年 3 月
学位授予单位:沈阳理工大学
Classification Index: TB32、O469
:
A Thesis for the Master Degree of Engineering
Synthesis and Luminescence Properties of
Quasi-one-dimensional AlN Nanostructures
Candidate : Wang Nan
Supervisor : Associate Prof. Shen Longhai
Academic Degree Applied for : Master of Engineering
Specialty : Physical Electronics
Date of Submission : December, 2012
Date of Examination : March, 2013
University : Shenyang Ligong University
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沈阳理工大学硕士学位论文
摘要
准一维纳米结构材料制备己经成为纳米材料科学中的前沿领域和研究热点。
这是因为准一维纳米结构材料制备是理解纳米材料基本物理特性和构筑纳米功能
器件的基础。它在光学、电学及机械等方面有区别体材料的许多独特的性能,并
在制造实用新型纳米光电器件具有广阔的应用前景。近几年,作为一种重要的宽
禁带半导体材料,低维半导体AlN纳米结构的制备与性能研究也引起了科研人员广
泛的关注。
本文利用自制的真空管式炉沉积系统,采用固相源化学气相传输法制备出了
多种形貌的 AlN 纳米结构(纳米锥、纳米棒、纳米带、纳米片和纳米线)。通过改
变实验参数,主要包括:温度、流量、衬底、衬底位置来实现准一维 AlN 纳米结
构的可控生长。利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子
显微镜(TEM)和拉曼(Raman)光谱仪对所制备的 AlN 纳米结构进行了微结构
和形貌的表征。利用光致发光和傅立叶红外光谱仪对准一维 AlN 纳米结构进行了
光学性质的测量。研究结果表明:通过控制反应温度和气体流量等参数能够控制
准一维 AlN 纳米结构的形貌。温度越高,铝在 AlN 晶体外延生长面越容易扩散;
氨气流量越大,氮源流量相对变大,促进 Al 的氮化,能够抑制铝蒸汽在 AlN 晶体
外延生长面的扩散,两者综合作用下影响了 AlN 纳米结构的形貌。准一维 AlN 纳
米结构沿着纤锌矿结构 c 轴