文档介绍：湘能华磊光电股份有限公司2016-12-19湘能华磊光电股份有限公司22016-12-19湘能华磊光电股份有限公司32016-12-19湘能华磊光电股份有限公司4华磊芯片目前方向:1、以08*15mil芯片成为小尺寸方片的市场主攻方向,光通量可达到5lm以上;2、不断提升10*23mil品质以满足背光源市场需求;3、大功率芯片的研发4、华磊下阶段将向下游延伸,封装线也正在筹划中,目前小量验证线如SMD、Lamp及High-power的封装已经逐渐完善,基本接近,为下一步封装线的建立打下良好基础。2016-12-19湘能华磊光电股份有限公司5外延生长芯片前工艺研磨、切割点测、分选检测入库2016-12-19湘能华磊光电股份有限公司62016-12-19湘能华磊光电股份有限公司7?外延生长:MO源及NH3由载气传输到反应室,以质量流量计控制气体流量,反应物进入反应室后经载气传输到衬底表面反应形成外延薄膜。?主要设备有MOCVD、活化炉、PL 、X-Ray、PR、镭射打标机等。2016-12-19湘能华磊光电股份有限公司8蓝宝石衬底GaN缓冲层N型GaN : Si多量子阱有源区(InGaN/GaN)P型GaN:MgP型InGaN-金属接触层2016-12-19湘能华磊光电股份有限公司92016-12-19湘能华磊光电股份有限公司10一、前工艺前工艺主要工作就是在外延片上做成一颗颗晶粒。简单的说就是Chip On Wafer的制程。利用光刻机、掩膜版、ICP、蒸镀机等设备制作图形,在一个2英寸的wafer片上做出几千~上万颗连在一起的晶粒。芯片工艺一般分为前工艺、后工艺、点测分选三部分