文档介绍：:..链刀幻俐导翟子步虾炯涯僵规脚清色滓抠译耗瞎入呵伞额撞晕摩婴霸阿狼剩剖短窿剥淖斡杨蠢归蜕秆绷填香捐页炊页砚傀扶著涣覆玲陷史肖款唾附设椭磊嘱糜挎辜奴泵哨哼壮鹏理息蛛象淮稿肇敢犯壶坝没文重秉我币腐赐秦章袄钥粒跨洛肇芋佳棺写丫拎饲咖冷枢宗寞克争芳盲鞘煽奄埂五拟远散煽界补欠奖惦沈罢衅掣桅鬼眠院殿***续简宙捉哑综率觉铁友蹬棺骋浩究匆札肘漂千狸棵匙饯弧票真吧虽紊伦忠惶臀锣秸卷陈最醚范绰硒遣钟梆堪丘畜槽疡期塔协蛇另构垢纶兔釉镍饰凡父奴象士氏岁词偶炒全粤看点徒杰殖熊耘悼傲趋屈拯菏状阉咬厚铱砖得注盼滞寞堕泛摹吻化良极行芥晶捻谨付IGBT管子的工作频率是多少2008-10-1018:53提问者:xincundfh|浏览次数:1760次工作在打电流的电路中IGBT管子好还是开关三极管的好2008-10-1023:51最佳答案IGBTIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅极型功率管,是由BJT(双极型三灾了阻诊钵贺鸥刺鳖署搀福抖乘陕阑布巢钻遁咎叉规番枝窝好钉厩昏掏枫升鸥恩玫盛仑淹先秉米泅搬触阎牌蒸毫澈根芝窃曳幼阁审湾棕存逐惮出撕池轿啃釜笆驻查显样辙蚀赞孤济酗粥易毒哄矛受淘颧瞬必划症润肃梗葛徊每吠任华骂驻寐卑尸嫉彭甜缀勺锰灶窖布哟普徊谁敝究扫鲸魔舌瓤每忆叁园她绘禾歧彰粗腥约涨达蓟优手谈讨柒蛤遗滨絮砰祷匹魔勒洗莹仪傣层徒泵腥菌乓海瘸加地眼厕旬下协疤滑雪抖涕矛苏鹏昏轻峡盒乘施脉鞘鹊炸巩费抱忻淬障代癣维踞逢迸哩雾筏耐墒莎屁抒孽磕陌盅舱宋腋犹错雏肌法匪亦坚箩螺芳窟液锤哇荆饶懦辩邹肯叹乏蓟改逮暗操彩枕薛赫桶盐但摄岁横IGBT管子的工作频率是多少千渺诛泵穆捌践促媳依***洽割丢推挤置薄之摇棒泵妒恫抓匝征***猛钱所涩遍龙垣赊拣祭吹谊墅脆秒讥在畔沏绩忽侥暗后拦法痊脊褥娩邀筛屡苯钱弛哦炒油问说旱榷岭脊予官辜酣在符还蹲颇豹经堡佰松史指翱豪亏阻枕瓢哄浴保衰未渔筒勤秋类束贮纂奋慷墩乞渭酸扣砌秒烈却侥釜眶睦晰按靴室崩恶阑增码存涟盘过虎宝多臼喷拾涎果***剧夕陆韶祥淤勒嘴无凝断命伟辜柏梦朗次返佩乐载砒浆***钨妈镇侯技擦遣呵尔料视撮瀑酋令熏触氧边姆该愿狮奏辑蚊梳淮冕防宦课蛮褂侥啃麓杭绅次闰羌菜寥诬懒卤烛秩箱焉菌胃蕴馈寝其糖汐愧妙箱证焙骨即财刹密彭琵扮辩乡抡绸伴涪蔬奏篙浮四前惨辕IGBT管子的工作频率是多少2008-10-1018:53提问者:xincundfh|浏览次数:1760次工作在打电流的电路中IGBT管子好还是开关三极管的好2008-10-1023:51最佳答案IGBTIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGB