文档介绍：签名:蝉导师签名:躲匿盟:吼洲年广月,阳棚伪’日期:沙独创性声明关于论文使用授权的说明入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含本人为获得江南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。本学位论文作者完全了解江南大学有关保留、使用学位论文的规定:江南大学有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅,可以将学位论文的全部或部分内容编汇编学位论文,并且本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。保密的学位论文在解密后也遵守此规定。●一。
摘要\随着器件特征尺寸的减小,传统的微缩技术开始面临来自物理极限的挑战,应变硅技术已成为进一步提高纳米级性能的主要途径之一。应变硅技术利用应变诱导硅能带发生变化,从而获得载流子迁移率的增强,并且能与当前微电子主流工艺兼容,这使其在显著提高骷牡缪阅芊矫妫哂泻艽蟮挠攀朴胛ΑJ率瞪希变硅技术已被证明是一种能在未来相当长时间内,保持平面硅技术优势,不断推动集成电路发展的新技术。在应变硅骷难芯俊⒅票负陀τ弥校既氛莆展档烙αΦ拇笮∮敕植迹及应力导致的器件电学性能的改变至关重要。考虑到研发周期与实验成本等因素,对此类器件进行模拟研究正得到越来越多的重视。本文采用有限元分析软件工具直鹧芯苛薓杏αΨ植加胍恍┕ひ詹问囊览倒叵担以及应力引入所造成的电学性能变化。在利用泄档烙αΨ治鲋校饕Q芯苛诵滦蚐源/漏和弛豫上应变硅结构。结果表明,适当提高疓哪Χ榉帧⒃黾覵源/漏刻蚀深度与抬高高度、减小应变层厚度都能有效提高沟道应力水平,且沟道越短,应变影响越显著。另外,通过将模拟结果与图像的分析数据及挡馐萁斜冉希橹ち擞邢拊DD饨峁挠行杂胝沸浴对栅长的应变硅和的研究发现,高张应力的敲层和疍结构能分别用于改善与的电学性能,使器件的驱动电流、跨导获得大幅提升。通过多应力结构引入的应力可在沟道区进行叠加,并最终体现在电学性能的提高上;特别的,器件的亚阈值特性并未发生明显退化。通过与实验报道的转移特性对比,模拟结果在趋势上和数值上都显示出良好的一致性。最后,尝试了将电学特性的模拟延伸至小型电路,着重研究了反相器的电压转移特性。由于阈值电压的漂移,应变硅反相器的转换点电压产生了一个较明显的偏移,噪声容限也相对变小。总之,上述模拟研究可为纳米级应变硅器件的设计与优化提供理论上的参考,如对疓康恼壑醒≡瘢蕴Ц吒叨群涂淌瓷疃鹊挠行Э刂疲蚨远嘤α峁拐闲Ч进行合理预测,这些对实际器件的制备和应用都是有指导意义的。关键词:应变硅;骷挥αΓ坏缪匦裕荒D猓挥邢拊7治觯籘
瓼....瑀、册跱.,..猳.’琣阰甿.,甪瓼.,疍疓瑃疍..琧,..畇,瓸⒑,甊
;:·;瑃疓;;;;—‘:!
录目摘要第一章绪论引言应变硅技术的历史与现状⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯论文的主要工作第二章应变硅技术的物理机制与应变引入方式⋯⋯⋯⋯.应变硅技术的物理机制⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。.。ⅰ.扑憬峁敕治觥弛豫上应变硅器件的结构与制造⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯...扑憬峁敕治觥疍应变硅本章小结第四章应变硅的电学特性研究⋯。软件平台与研究方法⋯应变硅的研究⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。⋯⋯⋯.⋯⋯..⋯⋯⋯.
应变硅反相器的芯俊本章小结⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.第五章总结与展望⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.致谢⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文⋯⋯⋯.目录⋯⋯...⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯...:⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯...Ⅱ
第一章绪论已从上世纪年代的~岬缩减至年前后的被认为是一个“极限欢捎谡ぱ趸愕闹苯铀泶┑,技术和产业在其诞生后的半个多世纪来一直以惊人的速度增长’,。今