文档介绍：长春理工大学
硕士学位论文
新型纳米MOS器件工艺与特性研究
姓名:郝志华
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:姜德龙;黄如
20100301
摘要最后,基于牡字票赋隽斯枘擅紫呶дぞ骞堋;竦肗蚉骷这展示了纳米线围栅器件结构在集成电路中的巨大应用前景。短沟效应双栅器件多栅器件硅纳米线骷锲骷硅纳米线围栅器件结构凭借其理想的短沟道抑制能力和高驱动电流,是适合于纳米尺度领域应用的最理想器件结构。北京大学已经提出了一种基于“甦工艺制备硅纳米线围栅器件的方法。本论文中,我们首先对制备硅纳米线的牺牲氧化工艺进行了系统研究,给出了不同氧化温度、氧化时间,初始线宽对纳米线最终形貌的影响,并制备出了直径为墓纳米线。同时基于传统工艺制备出了窗口电压为墓枘擅紫逽器件。但此工艺会产生寄生的底管NA烁纳颇擅紫逽器件的特性,我们提出了一种抑制底管的方法。电流开关比分别为×倾兄敌甭史直鹞痙和—/关键词:
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聊签名:趔也年』月出一哆/耆麓匀厶坐年』月拼长春理工大学学位论文版权使用授权书长春理工大学硕士学位论文原创性声明权使用规定”,同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕本人郑重声明:所呈交的硕士学位论文,《新型纳米骷ひ沼胩匦研究》是本人在指导教师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名:本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版士学位论文全文数据库和系列数据库及其它国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。
帖嗍桑簄‰荆第一章绪论技术的进展的概念,最早出现于晁昵氲淖ɡ小尽АH旰蟮场效应晶体管开始迅速发展。上世纪年代末期,该晶体管成为集成电路的主要组成每个月缩小倍,单位面积上晶体管的集成度翻两番。这种特征尺寸的缩小要求器件的工作电压也必须有所降低,以至于减小电路动态功耗、并保证器件工作的稳定。可通过减小负载电容、增加驱动电流和减小电源电压的方法来实现。等比例缩小定律推动着集成电路不断地朝着增强性能和提高集成度的方向迅速发展。研究者们普遍认为,摩信息产业的高速成长是以集成电路獻技术的发展为基础的。日常生活中人们所谓的“高科技’’,例如:互联网络、移动通信、数字家电、数码相机、智能机器人等等都离不开集成电路技术。在过去的三十年中,金属~,集成电路获得了更小尺寸、更高集成度,更快的工作速度和低压、低功耗。但是,目前在等比例缩小过程中,面临着很多问题和挑战。针对存在的问题和挑战,人们从新材料、新工艺和新器件结构各个方面提出了一些解决方案。年,甂和成功地制备出了第一个基于硅材料的。。从此,元件。以集成电路技术为代表的半导体行业,在过去多年的发展过程中,器件的尺寸一直遵循着摩尔定律’按比例缩小:晶体管的特征尺寸尔定律在未来十年中依然有效。图为年发布的咝阅苡τ闷骷锢砉党そɡ葱枨蟮脑げ猓傻缏返幕至图高性能应用器件物理沟长将来需求的预测瓻协
鏻骷⒄构讨杏龅降闹饕N侍本单元晶体管特征尺寸实际缩小速度比摩尔定律预测的更快,同时展望了一直到年的技术需求。对于应用在高性能逻辑电路的物理栅长将达到技术节点栅介质等效厚度为缭吹缪菇ń档目前,无论是工业生产还是实验室研究,等比缩小都已经发展到很高的程度。工业界技术已经成功进入了际踅诘恪O纸瘢蟹⑷嗽闭谖M黄和际踅诘愣ΑT实验室里,栅长为钠矫嫣骞鐲骷雅晒Φ刂聘鞒觥际醯姆展已经进入了纳米时代。当器件的特征尺寸进入到超深亚微米领域以后,器件结构的主要组成部分:栅电极、栅介质、沟道、源漏和衬底区都面临着各种问题和困难,如图窘譲。そ峁梗褐饕?悸钦ぜ罢そ橹什牧涎≡瘢す∪ 6嗑Ч韬木∮胝ば孤电流的增大,栅寄生电阻变丈,以及越来越薄栅介质所引入的隧穿电流和可靠性等问题。档狼憾坦敌в,⒙┲率评萁档托в,榷际怯捎谄骷缘莱ざ炔欢霞跣。拐ざ蕴缘狼目刂颇芰减弱,漏端电压开始对沟道电势产生越来越大的影响,导致亚阈特性的恶化,器件泄漏电流和静态功耗增加。绰┣褐饕0ㄇ辰嵩绰┙峁沟氖迪郑绰┘纳5缱璧募跣 V挥屑跣源漏结深才能够减小漏端电压对沟道电势的影响,从而有效抑制器件的短沟效应,如何实现这种结构给工业界带来了巨丈的挑战。随着沟道区电阻的不断减小,源漏寄生嚣件鲭构遇到的限制和挑战图。
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