文档介绍：《
一哗⋯名:隼独创性声明关于论文使用授权的说明一本人声明,所呈交的论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知;除了文巾特别加以标注和致谢的地方外,论文巾不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得武汉理工大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文巾作了明确的说明并表示了谢意。签名:本人完全了解武汉理工大学有关保留、使用学位论文的规定,即学校有权保留、送交论文的复印件,允许论文被查阅和借阅;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。C艿穆畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑卜
指导教师单位茗基主兰:主奢锶答辩委员会主席——评阅人㈣㈣学位授予日期——武多簧理歹大署位论文学钼、钒氧化物一维纳米材料的制备、:职称鏊授学位谴士墨堂谴±学科专业名称挝盘堂盛婆墨墨盘堂\彬论文提交日期亘曼生亘侣畚拇鸨鏓兰量生曼学位授予单位题英文研究生姓名胡申请学位级别分类号目级学校代码密垒窆,琍猟
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摘要过渡金属氧化物材料因其丰富的物理化学特性一直都是材料研究的热点。其巾钼、钒氧化物多样的价态、特殊的晶体与电子结构使其在储能、电子器件等众多领域具有重要的应用价值。本文从钼、钒氧化物一维纳米材料的制备及生长机理入手,研究并优化其性能,最终探索其在功能器件上的应用,揭示了材料性能与结构的相关性,主要研究结论及成果具体如下:匀芙核确ê铣闪苏幌郙擅状芯苛怂忍跫⑶扒迮度对产物结构和形貌的影响,获得了最佳实验条件,:在此基础上,发展了低温水热漂浮生长技术,实现了在不同材料表面生长纳米针阵列,发现产物是通过自组装形成缓冲层来增强与衬底之间的结合度,并通过外延生长实现阵列化结构。⒄沽艘阅擅状W晕0逯票窶擅装羰钠嗷乖际酰根据各项异性的键合强度解释了纳米棒束的形成机制;采用一步水热法合成了纳米棒,并对一奈锵嘌荼涔探辛朔治觥⒄沽艘恢制帐实奈⑷橐核燃际酰票赋龆嘀滞偷母丛痈盅趸纳米棒,并以新颖的缓释模型对其生长机制进行了解释。深入地探讨了合成条件对形貌的影响,发现酸性环境可以控制反应初期前驱体的品粒尺寸,为后期缓慢反应转化成为纳米棒提供了基元。糜呕腜法合成了竖直生长的单晶擅紫咭约癡擅状簇,发现衬底放置角度以及气氛流速对纳米线竖直结构的形成有明显影响。两种钒氧化物均具有的优良韧性在柔性电子器件上具有潜在的应用价值。芯苛薓擅状牡缁匦裕厥獾牟阕唇峁故蛊涫状畏诺绫热量高达痝,并对容量随循环次数衰减的原因进行了理论模型分析。采用二次水热锂化技术对纳米带进行改性,发现锂化后材料的循环稳定性得到了明显提高,单根纳米带的电学性能测试表明锂化能明显改善材料的电输运性能,使纳米带由半导体性向半金属性转变,电导率提高了鍪考丁4送猓其它半导体纳米材料上的实验结论也证明了锂化技术在材料电化学性能优化上的普适性,为提升锂电池电极材料性能提供了一利行У乃悸贰迷恿ο晕⒕堤秸攵訫擅状牧ρ匦越辛搜芯浚⑾纳米带杨氏模量的平均值与块体材料相差了一个数量武汉理工大学博士学位论文
了纬晒探淼姆从θ攘ρЪ吧ざρ匦裕⒌贾铝薞级,因而在弹性区域内更容易被弯曲,为其在柔性光电器件上的应用提供了实验依据。此外,利用纳米带在岱较蛲ü兜禄AΣ阕吹佣哂薪洗压缩率这一特性,组装成一个灵敏的微型压阻器件,发现纳米带微小的体积形变能够产生较大的电导率变化,因此可应用于微机电系统巾的压力传感元件。芯苛说ジ鵐擅装舻牡缡湓颂匦裕剿髌骷诓煌瓜碌奈榷性,发现纳米棒在低电压时电导率可以达至痚,并从电子结构的角度分析了其具有半金属特性的原因;在电场强度高于痗蹦擅装舻牡输运转变为肖特基发射形式,而更高的偏压使其表面氧化以致电阻升高。对纳米棒电化学特性的研究发现,锂离子的嵌脱会使纳米棒在单斜相与正交相之间发生转变,稳定时的放电比容量痝;快速放电模式会降低初始比容量,但随着循环的进行会逐步增大,并对这种现象的原因进行了探讨。迪至死猛庥αΦ骺氐ジ鵙纳米线中绝缘相与的相比例,并用共焦显微拉曼光谱原位豁测了相畴随应力的变化,揭示了绝缘相之间的竞争机制,并利用该原理将单根擅紫咦樽俺筛吡槊舳鹊挠Ρ浯ǜ衅鳎罡哂变系数达到飨愿哂诖郴诮鹗舯∧び牍枘擅紫叩挠Ρ浯ǜ衅鳎⒕哂快速可逆的响应特性,因此有望在桥梁工程以及光纤制造等需要测低机械应变的领域巾得到应用。灰揽客獠咳仍矗岷献苑⑷,通过调控偏压与纳米线应变的耦合状态来控制纳米线的结构相。实现了金属相与绝缘相之间的单畴转变,因而使器件具有鍪考兜牡缱璞浠庵指吡槊舳鹊谋浠哂辛己玫稳定性,反复切变也不会出现衰减,并且响应迅速,因此可以应用于机器人传