文档介绍：第卷第期材料研究与应用,.
年月.
文章编号:—一一
/为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究
刘丽娟一,罗以琳,林璇英
.汕头大学物理系,广东汕头;.深圳市宇光高科新能源技术有限公司,广东深圳
摘要:采用技术,
定性的研究表明,晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在着光衰减;晶化率较高
的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应,不存在光衰退现象;光照时多晶硅材料的电导率增加,光注入后
因光生载流子对缺陷态的填充使费米能级上移,激活能减小.
关键词:多晶硅薄膜;持续性光电导;晶化率
中图分类号:. 文献标识码:
多晶硅薄膜具有与—: 薄膜相似的对可见和的流量分别为.,。/.通过改
光吸收系数高的特性,同时又具有较高的载流子迁变射频功率制备晶化率不同的薄膜.
,
具有较好的光电特性和较低的制备成本,被广泛应卤钨灯
的光电导机理与单晶硅的不同,是多子效应的结果.
多晶硅薄膜因存在晶粒间界,所以存在晶粒间界势
机械泵
,光生
附加载流子在晶粒间界处通过界面陷阱复合,这一
过程影响到界面的电荷并使晶粒间界的势垒高度降
低,于是由晶粒间界势垒控制的多子电流增加,形成
、晶粒图电导率测试实验装置
大小、光照强度、吸收系数、薄膜厚度、晶粒间界密度
,样品放在真空度低于的真
光照和结晶度对多晶硅薄膜电学特性的影响,这对空室中屏蔽光和电磁,样品电极为银胶共面平行
多晶硅薄膜电导的研究具有一定意义. 电极,电极间的狭缝为×.实验装置如
,无光照条
,卤钨灯由变压器提供直流电
晶硅薄膜,制备工艺如下:反应室压强,玻璃衬压,光通过窗口垂直入射到样品上,由控温仪设置样
底温度℃,气体总流量保持。/,其中
静电计可提供~ 的电压输出,并能测量相应
收稿日期:一—
基金项目:国家重点基础研究发展规划项目资助的课题
作者简介:刘丽娟一,女,山东菏泽人,工程师,硕士.
材料研究与应用
的电流大小. 在光照条件下,每隔℃测量样品的光电导,一
直测到℃.薄膜的光电导、暗电导和激活能的测
实验结果与分析
量结果均列于表.
, 多晶硅薄膜的光、暗电导率及晶化率和光敏性从表可以看出,激活能随着暗电导的增大而
.~ . 之
间,介于单晶硅与非晶硅的禁带宽度值之间,这比较
由样品的拉曼谱图可知,号、号、号
样品的晶化率分别是% , , .
薄膜都具有较高的暗电导率,达× ~×
· ~,与未掺杂多晶硅薄膜的电导率× ~
× · 相当,比非晶硅薄膜的暗