文档介绍：作者:胡仕刚导师:郝跃教授学科:微电子学与固体电子学中国·西安年
’
本人签名:五鍪&塑本人签名:血丝本学位论文属于保密,在一年解密后适用本授权书。创新性声明关于论文使用授权的说明秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切的法律责任。本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证,毕业后结合学位论文研究课题再攥写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。C艿穆畚脑诮饷芎笞袷卮斯娑导师签名:’
摘要果的基础上,发现正和负直接隧穿应力过程中器件的退化和%退化均随着骷叽绲乃跣『驼ぱ趸愫穸鹊募醣。ば孤┍涞糜⑾灾器件和电路可靠性的影响也愈发严重,成为限制器件及电路寿命的主要因素之一。本文对工艺下的栅极泄漏电流的物理机制以及相关的可靠性问题进行了深入和系统的研究。论文主要涉及两个基本内容:超薄栅氧器件中的直接隧穿电流和区多种应力下应力感应的栅泄漏电流。论文首先对超薄栅氧骷械闹苯铀泶┑缌鹘辛搜芯俊L致哿薓结构的隧穿机理。对超薄栅氧骷苯铀泶┑缌髦械南喙匚侍饨辛颂致郏包括多晶硅耗尽效应的影响、量子效应的影响以及隧穿电流组成成分。研究了的工艺下栅氧厚度为的直接隧穿电流。分析了直接隧穿栅电流随沟道长度、沟道宽度、测试栅压、漏端偏置、衬底偏置变化规律。对标准工艺生产的栅氧化层厚度为传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏胁馐匝芯俊2捎梅抡娴姆椒ǎ芯恐苯铀泶┱ば孤┑缌鞫逻辑电路的影响。论文研究了几种均匀应力下超薄栅氧骷嘶匦约罢ば孤T谑笛榻存在线性关系。为了解释直接隧穿应力下的起因,建立了一个界面陷阱和氧化层陷阱正电荷共同辅助隧穿模型。对恒定栅压统牡兹鹊缱两种应力下超薄栅氧器件特性和机理作了比较研究,证实了由热电子引起的氧化层击穿与αο碌幕鞔┨匦圆煌6猿≌ぱ鮌骷牡兹瓤昭α特性和机理也进行了研究。α讨校瓤昭ㄗ⑷胙趸使得—狭选甇键断裂引起氧化层网络结构的改变。损伤的积累最终导致氧化层击穿。论文研究了几种典型关态应力下超薄栅氧骷嘶匦约罢ば孤6械腉αμ匦越辛搜芯俊@肎电流去分析应力造成的损伤。发现应力前后电流的变化可以分成两个阶段。在第一阶段,空穴陷入氧化层起主要作用;但在第二阶段,电子陷入氧化层起主要作用。这是边缘直接隧穿和带带隧穿共同作用的结果。对应力下起因,提出了一个可能机理。对超短超薄械腟αμ匦越辛搜芯俊应力过程中雪崩热空穴和电子同时注入栅氧化层,会产生界面态和大量中性电子陷阱。氧化层中的中性电子陷阱增加使得增加和软击穿发生。论文研究了几种热载流子应力下超薄栅氧骷嘶匦约罢ば孤6猿
短超薄械牡驼ぱ和最大衬底电流应力特性进行了研究。证实了低栅压应力仍然是空穴注入应力,而最大衬底电流应力是一种电子和空穴共同注入应力。在实验结果的基础上,发现两种应力过程中退化和%退化均存在线性关系。提出了两种应力下超短超薄器件起因于界面陷阱和氧化层陷阱电荷共同作用机制。对中的高温沟道热电子应力特性进行了研究,发现高温沟道热载流子应力中的退化和%的退化存在线性关系。为了解释高温沟道热载流子应力下的起因,采用了界面陷阱和氧化层陷阱负电荷共同作用机制。关键词:应力感应漏电流界面陷阱氧化层电荷骷超薄栅氧骷ば孤┑缌餮芯
畁—狹.—.猦’畁,、琲猦瑃.、,甋,甃琩瓸,...
甌甌‰,鷖·超薄栅氧骷ば孤┑..琤甀瓵畉,..