文档介绍：中山大学
硕士学位论文
10英寸CuO纳米线冷阴极场发射显示器阴极基板制作工艺研究
姓名:李永德
申请学位级别:硕士
专业:凝聚态物理
指导教师:陈军
20100609
⒋鏑纳米线冷阴极场发射显示器阴极基板制作工艺研究硕士生:李永德导师:陈军教授专业:凝聚态物理摘要场发射显示器哂械凸摹⒏吡炼取⒖硎咏恰⑾煊κ奔涠痰扔诺悖是非常有应用前景的新型平板显示器件。近期,人们发现纳米线冷阴极具有优异的场发射特性。但是,如何低成本制备大面积的带栅极的纳米线冷阴极件仍然是一个难题。本论文简要综述了场发射显示器件的工作原理、器件结构和研究状况,重点介绍英寸背栅极和复合栅极结构的氧化铜纳米线冷阴极跫ɑ宓闹谱工艺的研究结果。本论文的主要研究结果如下:捎糜邢拊7抡嫒砑D饬吮痴ぜń峁购透春险ぜń峁笷的电场分布,模拟结果证明了这两种结构在骷τ弥械目尚行浴⒄沽瞬捎檬7ǹ淌粗谱⒋绫痴ぜń峁购透春险ぜń峁笷的阴极基板的工艺技术,验证了英寸面积内制作均匀显示的带栅极结构纳米线目尚行浴=ú搅擞呕缱邮舴⒄舳蒲趸辆挡愕墓ひ眨岣吡司缘层耐压性能。优化了器件结构和湿法刻蚀工艺,提高了栅极与背电极接触的可兄瞥霾捎肅纳米线阴极的英寸全封装复合栅极结构场发射显示靠性。
器原型器件。经动态测试,栅极电压最小在好控制,器件可实现行列寻址及字符显示。关键词:场发射显示器,纳米线冷阴极、湿法刻蚀芏訡纳米线阴极实现较摘要
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学位论文作者签名:鸯永愿学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。日期:≯辍日
学位论文作者签名:苍永缱导师签名:丫爸学位论文使用授权声明日期:∞D月本人完全了解中山大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留学位论文并向国家主管部门或其指定机构送交论文的电子版和纸质版,有权将学位论文用于非赢利目的的少量复制并允许论文进入学校图书馆、院系资料室被查阅,有权将学位论文的内容编入有关数据库进行检索,可以采用复印、缩印或其他方法保存学位论文。日期:≥。伸年占月穸日日
学位论文作者签名:襁知识产权保护声明本人郑重声明:我所提交答辩的学位论文,是本人在导师指导下完成的成果,该成果属于中山大学物理科学与工程技术学院,受国家知识产权法保护。在学期间与毕业后以任何形式公开发表论文或申请专利,均须由导师作为通讯联系人,未经导师的书面许可,本人不得以任何方式,以任何其它单位做全部和局部署名公布学位论文成果。本人完全意识到本声明的法律责任由本人承担。日期:》口,辍日
第一章导论引言在的下一代平板显示技术之一也日益受到人们的重视。坛辛薈主动发后于欧美、日韩等国家,发展尚未成熟的允炯际醵晕夜钠桨逑允静场发射显示器件的原理在强电场下隧穿阴极表面。因此,从显示原理上看,梢运凳瞧桨寤腃,电子束的偏转扫描。捎玫囊跫ḿ际跻灿隒不同。ò悴捎萌纫跫ǎ利用热电子发射来产生电子,而捎美湟跫ǎ贸≈碌缱臃⑸洌吹缱随着信息社会发展的日趋成熟,人们对信息显示的需求越来越大。显示器作为信息显示的重要载体,得到飞速发展。平板显示器,如液晶显示器,和等离子体显示器,有轻薄的优点,已基本取代阴极射线管显示器,目前主流的显示器件。而场发射显示器,作为潜光、响应速度快等特点,并兼具了等平板显示器轻薄的优点,是具有很强竞争力的下一代显示器件。目前我板显示技术上落具有重要的战略意义。虲具有相似的工作原理,都是利用电子束轰击荧光屏发光实现显示。所不同的是诿扛鲇ü馄料袼囟季哂卸杂Φ姆⑸涮澹山徊娴缂爸控制其发射电子。因此恍枰O馛一样要有一个庞大的偏转线圈来实现它具有械挠诺悖ǜ吡炼取⒏叨员榷取⒖硎咏恰⒍滔煊κ奔洹⒖砉作温度等。由于采用冷阴极,它同时具备低功耗的特点。由于具晌
瘛冉矗场发射显示器件冷阴极材料冷阴极材科、器件结构及制作工艺三个方面共同决定了场发射显示器件的性能。其中,阴极材料的选择在~定程度上决定了器件结构和制作工艺的选择。下面将简单介绍一下应用于场发射显示器件中较为成熟的冷阴极材料。最先受关注的冷阴极是尖锥阴极。图銎涞湫偷腟照片【,他采用金属钼材料,【俊闘镜腗等人利用该种阴极制作了第一个推骷。尖锥阴极具有均匀性、可控性好等优点。但尖锥阴极容易因氧化和离子轰击等原因而受损,因此其场发射稳定性不高。由于受制造成本高,工艺复杂等问题的制约,目前