文档介绍：中山大学
硕士学位论文
鞍型栅极结构纳米线冷阴极场发射显示器的研制
姓名:麦强
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:陈军
20090531
鞍型栅极结构纳米线冷阴极场发射显示器的研制业:微电子学与固体电子学导师:陈军教授摘要专硕士生:麦强作。在大面积绝缘层刻蚀方面,针对/抖乃ú憔挡悖韭畚奶岢霾捎场发射显示器具有低功耗、高亮度、响应速度快和工作温度范围宽等优点。而采用准一维纳米材料冷阴极是实现低成本大面积可控制场发射显示器的一个本论文简要介绍了场发射显示器的工作原理及其器件结构,综述了场发射显示器的研究现状,并重点介绍了鞍型栅极结构场发射显示器的结构设计及器件结构的湿法制作工艺研究结果,最后分别介绍了集成擅紫吆蚙纳米线冷阴极的鞍型栅极场发射显示器的特性研究结果。本论文的主要成果可概述如下:攵缘臀氯妊趸ぷ家晃擅桌湟跫ú牧系奶氐悖韭畚奶岢隽艘恢结合平面栅极和背栅极的鞍型栅极结构场发射显示器。该结构可以方便地将各种低温定域生长的准一维纳米冷阴极材料集成于器件结构中。在该器件的模拟结果中可以发现,相比背栅极结构,鞍型栅极结构可以有效地提高栅极在阴极上产生⒘艘惶资7ㄖ谱靼靶驼ぜń峁沟墓ひ铡8霉ひ帐屎嫌诖竺婊骷绝缘层剥离工艺,而对于牡ゲ憔挡悖捎昧耸7ǜ垂ひ铡T谀擅紫阴极生长方面,采用了热氧化实现了擅紫吆蚙纳米线在器件中大面积定域生长。新途径。的电场,从而降低栅极驱动电压。
显示器原型器件,并实现动态显示。发展一种针对该器件的老化方法,实现了器件的稳定工作。对器件特性研究表明,鞍型栅极结构擅紫逨器件直流测试的器件开启电压为笥遥缪刮笥摇关键词:场致电子发射,场发射显示器,冷阴极,湿法刻蚀直鸩捎肅纳米线或擅紫呃湟跫兄瞥鋈ǚ庾鞍靶驼ぜǔ》⑸蛔钚∈悠登ぷ鞯缪为
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学位论文作者签名:去礓\学位论文原创性声明日期:歹∥辏嘣拢痮本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。
导师签名::袅呸、日期:~刁年拢H学位论文使用授权声明日期:刃彳年多月肜日本人完全了解中山大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留学位论文并向国家主管部门或其指定机构送交论文的电子版和纸质版,有权将学位论文用于非赢利目的的少量复制并允许论文进入学校图书馆、院系资料室被查阅,有权将学位论文的内容编入有关数据库进行检索,可以采用复印、缩印或其他方法保存学位论文。
学位论文作者签名:立呶日期:砂暾荚孪知识产权保护声明本人郑重声明:我所提交答辩的学位论文,是本人在导师指导下完成的成果,该成果属于中山大学物理科学与工程技术学院,受国家知识产权法保护。在学期问与毕业后以任何形式公开发表论文或申请专利,均须由导师作为通讯联系人,未经导师的书面许可,本人不得以任何方式,以任何其它单位做全部和局部署名公布学位论文成果。本人完全意识到本声明的法律责任由本人承担。
第碌悸引言研究背景随着平板显示技术的发展,采用真空微电子技术的场发射显示器作为潜在的下一代显示技术日益受到人们的重视。,显示器相似,是平板化的是唯一能跟南允拘阅芟噫敲赖钠桨逑允酒鳌目前正向着实用化迈进,我板显示技术,如高端的液晶显示器和等离子显示器方面相对比较落后,大力开发尚未形成市场规模的晕夜桨逑允炯际醯姆⒄咕哂兄匾.》⑸湎允酒鞯墓ぷ髟显示器相似,是在真空中利用阴极发射电子轰击荧光粉发光。在校扇个热阴极电子枪发出的电子,经过调制和聚焦形成三束电子流,通过偏转线圈扫描实现在荧光屏显示图像。而在校扛鱿袼囟际怯梢桓隼湟跫罅泻陀其对应的荧光粉像素组成,从冷阴极阵列发出的电子,轰击与之接近的荧光屏发光,通过对阴极的寻址,实现图像的显示】。.》⑸湎允酒鞯慕峁场致发射显示器慕峁箍梢苑治A酱罄啵憾ń峁购驼ぜń峁埂6极结构的骷挥幸跫ê脱艏āR蛭Sü夥垡话隳岩栽诘偷墓ぷ鞯缪瓜率现高的发光效率,所以二极结构的骷话愎ぷ鞯缪菇细撸贾虑杀的增加。为了解决这种结构中存在的问题,可以在紧靠阴极的地方加入栅极。由于栅极紧靠阴极,所以只需对栅极施加较低的电压便可以使阴极发射出电子。因此,利用这种结构可以有效地降低驱动电压。下面将分别介绍这两大类器件中的的发光原理与阴极射线管俊R虼耍現保持了哂械母吡炼取⒖硎咏恰⒏呦煊λ俣鹊扔诺悖的战略意义。场发射显示器且恢种鞫⒐獾南允酒骷的工作原理与
岫■Ⅲ几种典型的结构●二撮结构二极结构是利用由条状的阴极和阳极构成行与列的矩阵,通过行