文档介绍：西安电子科技大学
硕士学位论文
4H-SiC外延层中结构缺陷的分子动力学研究
姓名:高春燕
申请学位级别:硕士
专业:凝聚态物理
指导教师:李德昌
20100101
,介绍了分子动力学模拟计算的特点。分子动力学模拟由于其自身特有的猂算法,这一算法允许了边界变化,使得分子模拟可以用来研究位再次,,微管的形态和分类等进行了研究。分析利用分子动力学模电子和光电子领域研究的热点。。┪淮进行分子动力学的模拟时的计算方法等。首先,论文介绍了牧系木褰峁梗约熬褰峁褂肴毕葜涞墓叵怠O细介绍了庋硬牧现械娜毕堇嘈停蚊踩毕莺徒峁谷毕荩唤樯芰苏庑┤毕莸起源、特性和对器件的影响。介绍了课题的背景,由于庋由ぶ芯2一定密度的位错,理论和实验的需求促使人们研究形淮淼男灾省优点,成为研究材料位错的有效工具。讲解了位错理论。包括位错的弹性场模型,位错的分类方法,位错受力。讲解了分子动力学的计算方法。在讲述基本的分子动力学原理的同时,特别注意选取了流行的质坪唇步狻=樯芰错的运动。位错、微管和堆垛层错等结构缺陷进行了详细的研究。>。关键词:同质外延位错分子动力学模拟摘要
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本人签名:麴盘拯鲨:兰:≥创新性声明关于使用授权的声明日期望茫很究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切相关责任。在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。本人保证毕业离校后,发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。学本人声明所呈交的论文是我个人在导师的指导下进行的研究工作及取得的研不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。日期本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。C艿穆畚脑解密后遵守此规定
介愀禁撇缸粼仔∽谟仔怕第一章绪论研究的目的和意义热导率琚作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅坏俳缁鞔┑绯∏慷雀摺⑷任榷选材料;此外钩晌<ǘ颂跫挛⑿突缦低车闹饕:蜓〔牧稀材料的这些优越的特性,使它在军事领域和国民经济中有着广泛的应用前景,近年来受到驴溶点—般从表几种材料的特性比较可以看出,牧系慕矶是和性好,还具有高载流子饱和漂移速度、高热导率等特点,可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件;泶逗偷偷缌鞯忍氐闶顾晌W贤饷舾衅骷慕虾煤了很大的重视表碳化硅⒐约吧榛氲继宀牧匣拘灾识哉毡击穿电场痮饱和速度∞电子迁移率空穴迁移率物理稳定性极好良好.。
.庋硬牧现械娜毕的使得其器件能在相当高的温度下工作不至于因为本征载流子激发导致大功率性能。碳化硅材料在发生雪崩击穿前所能够忍受的极限电场是硅材料和砷化镓的倍U庖桓呒薜绯】梢杂美粗圃旄哐埂⒋蠊β势骷8的饱和电子漂移速度和低介电常数决定了器件的高频、高速工作性能;高热导率别是的倍和的倍馕蹲牌涞既刃阅芎茫梢源蟠筇岣叩缏返募成度,减少冷却散热系统,从而大大减少整机的体积。此外哂泻芨叩牧俳馐顾哂懈叩目沟绱挪具有更好的优越性。同时,撬锌斫牧现校ㄒ灰恢挚梢灾苯友趸竦的材料尽管牧嫌行矶嘤旁降奶匦裕怯捎赟材料中存在大量的缺陷,使得其在耐压、迁移率等方面的半导体性能大大受到影响。多年来,人们一直努力了很大的进展。所以减少外延层的晶格缺陷可以有效提高器件的性能和成品率。因为能够提供关于微观机理的描述,所以近年来分子动力学模拟在材料位错的研究中日益重要。借助分子动力学模拟可以为微观层次结构的设计提供基础,学来模拟位错的结构、运动、计算位错芯能量等,这对于淮淼难芯渴怯幸纤维锌矿结构和菱形结构。;高临界击穿电场萐虶8咭桓鍪考决定了器件的高压、移位珽涂狗淠芰Γ琒器件的抗中子能力至少是器件的丁T诠ひ上,和绕渌牧舷啾龋诓牧仙ぁ⒗胱幼⑷搿⒔鹗艋哟サ裙ひ辗矫妫研究缺陷的形貌及形成机理,以降低牡缀屯庋硬阒械娜毕菝芏