文档介绍：西安电子科技大学
硕士学位论文
凹栅4H-SiC SIT的结构优化和特性研究
姓名:任丽丽
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:贾护军
20100101
摘要关键词:.由于牧暇哂写蟮慕矶取⒏叩牧俳缁鞔┑绯⒏叩牡缱颖ズ退俣纫及高的热导率等性能,因而在高温、大功率、抗辐照等工作条件下具有明显的优势,成为近年来半导体领域研究的热点,并在通信、交通、能源和国防等领域具有广阔的应用前景。。首先分析了牧的优点及其基本性质,、类三极管模式和双极模式下的直流特性,并对其工作机理进行了阐述。模拟结果表明,沟道浓度的增大和沟道长度的减小都会使漏电流增大;关断电压会随着漂移层厚度的增大和漂移层浓度的减小而增大;栅源击穿电压会随着沟道掺杂浓度和沟道宽度的增大以及沟道长度的减小而增大。经过分析,┑缪勾锏搅耍,而且它的比导通电阻也很小,仅为由于在骷泄档篮推撇悴粼优ǘ鹊闹刀冀闲。又始负跬耆ǖ缋耄因此在模拟中可以看到不完全电离效应对骷挠跋旌苄。梢院雎浴1疚还对器件的温度特性进行了分析。随着温度的增大,类五极管模式下的漏电流逐渐减小,哂懈旱奈露认凳5窃诶嗳ü苣J较拢孀盼露鹊脑龃螅囟电压减小。凹栅甤。
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日期趔褐粒隰:西安电子科技大学学位论文创新性声明关于论文使用授权的说明本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切的法律责任。本人签名:生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有椤保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证,毕业后结合学位论文研究课题再攥写的文章一律署名单位为诬安电子科技大学。C艿论文在解密后遵守此规定导师签名:
第一章绪论奶岢黾捌涮氐件和电路正常工作,这对于硅的生长和加工是很大的挑战。硅的禁带宽度较小,过复杂的设计和目前工艺现状满足那些应用,然而硅的内在物理局限性在满足将率、高熔融温度以及高热稳定性是主要的。对功率电子应用来说,低碰撞离化率、率、高饱和漂移速度是首要考虑的。对辐射电子学,宽禁带、强化学键是关键因要求。除了这些物理性质的要求,成本也是研究和发展这些材料的关键。用较低且恢挚斫氲继宀牧希哂蟹浅S旁降奈锢硇灾省K孀挪牧霞际醯发展及高温、高频、大功率电子器件的需求,鸾ピ诠谕庋芯苛煊蛑姓季葜亩嘈吞蹇纱多种,这些多型体都有着各自独特的电特性和物理特性,以看出,与其他半导体材料相比,哂杏旁降奈锢硖匦裕焊叩慕矶取⒏叩在过去的半个世纪里,半导体产业飞速发展,现在已经发展成为世界上最重要的产业之一。由于硅原材料的高质量、量多以及低成本,它在整个半导体产业中占据很非常大的优势。但是,硅内在的物理性质限制了它在很多领域的应用,尤其是在高温、高频通信、大功率、抗辐射朔从ζ骱吞ǹ盏缱友等方面。硅的禁带宽度较小,因而硅器件不能工作在高温下。硅的饱和漂移速度很小,因而它形成的器件不能工作在超过母咂迪隆6杂诟哐勾蠊β视τ茫A四芄怀受高压,必须使掺杂的浓度很低、自由缺陷很少,还要有大面积的硅衬底来使器因而硅器件不能提供可视光谱,这限制了它在光电子学上的应用。在太空卫星应用上,大的宇宙辐射会引起硅器件中的损伤并减小它的寿命。特殊的保护、冗余设计需要用在卫星和航天飞船上,这将增加重量和成本。现在硅器件仍然可以通来日益增长的高性能、低成本、简单设计以及高可靠性的应用中将会遇到严重的问题。鉴于硅的这些缺点,已经研究出来了许多不同的半导体材料,如、、、、、以及金刚石等。在特殊的环境下应用,必将对半导体内在性质有特殊的要求。对高温电子学,宽禁带、高热导高击穿电压、高热导率以及低缺陷密度是主要的因素。对高频通信应用,高迁移素。对光电子学,宽禁带、在能带中注入离散能量级的能力和高发射效率是基本的成本大量制造高质量的衬底的能力是至关紧要的。要地位。其中,、、型谖⒉、.虶幕静牧咸匦越辛吮冉稀.。从表中可
移拦\\\材料谕夥⒄瓜肿饱和电子漂移速率、高的击穿电场强度、低的介