文档介绍：电子科技大学
硕士学位论文
ZnS荧光薄膜的制备及其表征以及掺杂对其性能的影响
姓名:苏海桥
申请学位级别:硕士
专业:光学
指导教师:祖小涛
20090501
摘要线衍射住⑼干涔馄住⒐庵路⒐馄退奶秸氲龋直鹧芯苛薚胱雍术是当前半导体材料一种重要的掺杂技术。℃的氩气气氛中进行退火处理。结果显示:离子注入后,样品的苌浞逑失,样品在可见光区的光学透过率有所提高:在嫱嘶鸷螅∧そ峋阅苡兴℃的氩气气氛中进行退火处理。结果发现:离子注入后,衍射峰消失;。在紫外光探测器、短波长发光二极管、激光器二极管、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。为了使得∧つ芄惴河τ糜诟骼喙獾缙骷斜匾8纳或者改变薄膜的物理、化学等性能,在∧ぶ胁羧朐又试K睾腿韧嘶鸫就是其中两种重要的方法,尤其是∧さ腜型掺杂显得尤为重要。离子注入技本论文是利用离子注入技术进行掺杂和热退火处理对∧じ男裕捎肵射胱幼⑷隯薄膜和注入后样品退火的结构、光学和电学性能,主要得到以下结果:谜婵照舴⒎ㄔ谑⒉AС牡咨现票竄薄膜,室温下剂量为/芰的离子注入∧ぶ校胱幼⑷牒螅贩直鹪碾财罩薪型嘶鸫=峁允荆豪胱幼⑷牒螅返腦衍射峰强度减小,样品在可见光区的光学透过率明显下降,近带边紫外发射峰蜕钅芗度毕莘⑸浞都消失不见:注入后热退火处理,衍射峰在~退火后有一定的恢复;,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移;搴虳峰都随退火温度的提高而增强。谜婵照舴⒎ㄔ谑⒉AС牡咨现票竄薄膜,室温下剂量为/,能量腘离子注入∧ぶ校胱幼⑷牒螅贩直鹪转,衍射峰重新出现;嫱嘶鸬腘和杂薪档停℃后虳随着退火温度的升高而增强。谜婵照舴⒎ㄔ谄胀úAС牡咨现票竄薄膜,室温下剂量为/芰的胱幼⑷隯薄膜中,离子注入后,;光学带宽发生蓝移;搴虳峰都增强;℃退火后,衍射峰出现;嫱嘶鸷螅吩诳杉馇墓庋腹试黾樱℃
退火后,样品在可见光区的光学透过率降低,退火的虳强度提高,关键词:真空蒸发法,∧ぃ胱幼⑷耄韧嘶鸫恚庋阅嘶鸬腘和加兴档汀摘要
瓸...甌,獁,琣,,/.,甔—,:.甆瓸
,找籭—.甌/.,瑃瑃,瑃:,琁,.甆琣
虢趁鱼笱聊签名叠丛∑廷日期:吣辍n淙独创性声明关于论文使用授权的说明·日期:年月。严日为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。签名:本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。C艿难宦畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑
第一章绪论概述破,∧ぴ谥票福獾缧阅艿确矫嬗邢灾奶崮虷】。优点及其优异的光电、压电、气敏等特性,而且具有其原材料丰富易得、价格低廉、无毒等优点。因此在非线性光学器件、发光器件、表面声波器件、太阳能电池、腜型转变。等人【】报道羧隯薄膜中充当浅受主,其它元素掺∧な且恢种匾5目泶室温下禁带宽约为氲继宀牧希硗∧せ咕哂薪榈绯J汀⒒珩詈舷凳蟆⒐庋腹矢摺⒒阅芪榷ǖ紫外光探测器、半导体激光器及集成光学等领域有广泛的应用前景,是目前最具有开发潜力的薄膜材料之一。由于高质量的∧ぴ诠獾缱恿煊蚓哂蟹浅9惴旱应用前景,近十几年来,吸引了广大研究人员的研究兴趣,人们围绕∧さ闹备、掺杂和器件开发等方面开展了广泛深入的研究,在上述各项研究中有重大的突尽管人们在∧げ粼雍秃笃谌却矸矫娴难芯抗惴嚎U梗⑷〉弥卮蟪效,但是不同的掺杂方法、掺杂杂质和后期热处理方式对∧ば阅苡跋煜嗖很大。离子注入技术是一种广泛采用的半导体掺杂技术,尤其是在半导体工业中。它的优点是可以进行选区掺杂,不受掺杂物固溶度的影响,并能精确控制掺杂物的浓度。理论上,每一种元素都可以利用离子注入技术进行掺杂,因此,它是一种十分灵活和便利的掺杂技术。然而,离子注入过程中会产生大量缺陷,这些缺陷对材料的物理和化学性能可能造成很大的负面影响,这些负面影响一般可以通过后期的退火处理来消除。国内外已有很多研究组利用离子注入技术把蚆仍K夭羧隯薄膜,研究了离子注入后的∧す庋А⒌学、磁性等性能【,取得了重大成效。∧つ芊窆惴河τ糜诟骼喙獾缙骷钪匾5奈侍饩褪悄芊裰票赋龈咧柿的帷8咧柿康膎型∧ねü粼尤墼K厣踔敛徊粼泳秃苋菀谆得浚捎赯薄膜中存在大量本征缺陷而使∧こ蕁型半导体,并且薄膜对掺杂的受主杂质的固