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C,2F,6、C,4F,8双频电容耦合等离子体特性研究.pdf

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C,2F,6、C,4F,8双频电容耦合等离子体特性研究.pdf

上传人:numten7 2014/5/11 文件大小:0 KB

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C,2F,6、C,4F,8双频电容耦合等离子体特性研究.pdf

文档介绍

文档介绍:弧觥簂’卜。瘆籰一【’’日期:垫丝::所提交的学位论文是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不含其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果,也不含为获得苏州大学或其它教育机构的学位证书而使用过的材料。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人承担本声明的法律责任。论文作者签名:觥隹冢瘛瘢
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℃在——年学位论文使用授权声明吵本人完全了解苏州大学关于收集、保存和使用学位论文的规定,即:学位论文著作权归属苏州大学。本学位论文电子文档的内容和纸质论文的内容一致。苏州大学有权向国家图书馆、中国社科院文献信息情报中心、中国科学技术信息研究所蚍绞莸缱映霭嫔、中国学术期刊馀贪电子杂志社送交本学位论文的复印件和电子文档,允许论文被查阅和借阅,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存和汇编学位论文,可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索。涉密论文口本学位论文属月解密后适用本规定。非涉密论文口论文作者签名:导师签名:
、双频电容耦合等离子体特性研究中文摘要超大规模集成电路中器件密度的提高、特征线宽的减小导致互连线之间的阻容耦合不断增大,从而使信号传输延时、功耗增大、噪声增大。为了解决这些问题,用低介电常数统徒榈绯J材料替代传统的层间绝缘介质,成为可能的选择。作为低统蚹材料中最有前景的候选者,多孔超低牧鲜艿焦惴汗刈ⅰ作为应用于超大规模集成电路中的低牧希琒薄膜的刻蚀研究极其重要。为实现∧た淌吹木房刂疲G罂淌词钡奶挤壤胱犹迨歉缓現的等离子体,并且离子能量可以独立控制。因此,本文采用发射光谱诊断方法,研究了低牧峡淌粗醒∮玫腃癈宓乃档缛蓠詈戏诺绲壤胱犹逄匦裕⒑的双频电容耦合放电等离子体特性进行了比较。主要研究了及气体的双频电容耦合放电等离子体中基团密度以及疌比随高频功率、低频功率、放电气压的变化关系。比较了和与在薄膜刻蚀条件下的双频电容耦合放电等离子体特性,分析了低频功率对虲相对密度、疌比、电子激发温度的影响。实验结果表明在双频电容耦合放电等离子体中,高频功率、低频功率、放电气压的改变,使或等离子体中出现不同分解过程,这种对气体分解反应的选择性为实现双频等离子体刻蚀薄膜的精确控制提供了可能。和与中基团密度的差异与生成基团的反应路径和反应所需的能量有关。关键词:双频电容耦合等离子体;等离子体;等离子体作者:黄宏伟指导教师:叶超,双频电容耦合等离子体特性研究
.瓵,.疌疌疌档缛蓠詈系壤胱犹逄匦匝芯,甀,瑃..—甌.—瑆英文摘要.Ⅱ
’;籐■■.■簘:’;『:;:—籆;.双频电容耦合等离子体特性研究英文摘要.
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目录第一章绪论§研究背景⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。§本课题组的主要研究内容⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§本文的研究内容⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第二章实验方法.§双频电容耦合等离子体瓹笛橄低场§实验参数⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§放电等离子体的发射光谱分析⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..⑸涔馄渍锒霞蚪椤.⑸涔馄渍锒显怼.⑸⑽露鹊姆⑸涔馄撞饬俊第三章、的双频容性耦合放电等离子体特性⋯⋯⋯⋯⋯§、双频放电等离子体发射光谱与碳氟基团的产生途径⋯⋯⋯⋯.§低频功率对及·壤胱犹逄匦缘挠跋臁§高频功率对及等离子体特性的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§放电气压对及§电子激发温度随高频功率、低频功率及放电气压的变化关系⋯⋯⋯⋯⋯.第四章、与双频诺缣匦员冉..⋯.。
第五章结论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§本文的主要结果⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§存在的问题和进一步的研究方向⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯.攻读学位期间公开发表论文致谢..⋯⋯⋯⋯⋯⋯.................⋯⋯.