文档介绍：山东大学
硕士学位论文
AlGaN/GaN场效应晶体管的TCAD研究
姓名:刘岩
申请学位级别:硕士
专业:电路与系统
指导教师:李惠军
20090425
揭密度集成的电子器件以及蓝光、绿光和紫外光电子器件。所有这些优良的性质,很好的弥补了前两代和等半导体材料本身固有的缺点,从而成为飞速发展的研究前沿。而制造的骷S氪车腗骷啾龋珹/高饱和电流以及高截止频率的优良特性。另外,实验证明,鵋的高温下仍然保持着良好的直流特性。因此可取消为器件所设置的诸多散热环境率高、热容量大,特别是它有着较高的击穿电压,极大地提高了骷哪脱谷的国内外发展历史及其研究现状,提出了本课题的研究意义和研究价值;讨论了牧系奶卣骷疤匦圆⒍訟/器件的基本结构和工作原理进行了简单的介绍。然后,文章重点表述了.。疓异质结构中的极化效应和二维电子气并较为深入地研究了其存在诸多深入研究都是建立在基于异质结特性的模型探讨前提之上的。器件的计算机模拟所采用的是新一代工器件结构编研究工作的核心阶段是对中的物理模型进行了选择及参数修本器件所得的实验数据进行模拟拟合,与实验结果进行对比发现:对所使用的核氮化镓墙改昀囱杆俜⒄蛊鹄吹牡谌斫氲继宀牧现唬其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高疓异质结场效应晶体管且訟/熘式岵牧衔;哂懈呖绲肌和散热装置,从而使整机系统的体积和重量降低,效率提高。由于牧系娜鹊量和电流密度,使β势骷晒ぷ髟诖蠊β矢汉傻奶跫隆本文首先概括了疓的原理。笔者认为:所有这些,乃是异质结与同质结的核心区别所在。、瓺锢硖匦苑抡婀ぞ摺⒓苫男槟馍杓破教⊿劝氲继迤骷芍圃煨陨杓乒ぞ。正以用于疓器件的模拟;笔者使用盗蠺ぞ叨杂谘心模型参数进行必要的修正之后,即可以用来对疓器件进行仿真,并仿真得到珿器件的诸多参数信息。最后,对组分、评山东大学硕士学位论文
器件的一个重要的结构参数,缩短栅长可以提高器件的最大漏源饱和电流密度和非本征饱和跨导,器件进行计算机模拟与分析研究的前期工作。故该项研究为国贏/器件及相关集成电路的可制造性设计与优化研究开创了一定的工作基础,本项研究的水平位于国内同类研究的前沿。;仿真;器件物理特性仿真;可制造性设计;层厚度、应变弛豫度和栅长对于疓器件特性的影响之间的复杂关系进行了计算机仿真,得到了一系列疓器件的特性与这些器件参数变化问的关系曲线。并对结果进行了较为深入的分析和讨论。本研究工作是基于对疓器件的工作原理和疓器件物理模型进行深入的探讨为基础来进行的,在相关基础理论层次上进行了有建设性意义的工作。结果表明,在一定条件下增大评莶愕腁榉帧⑻岣呤评莶愫穸瓤梢蕴高器件的性能,但是组分过大,势垒层过厚会引起势垒层的应变弛豫,而应变弛豫的发生会降低器件的性能。另外,栅长作为疓而且可以提高器件的特征频率。据初步了解,国内尚没有使用半导体器件可制造性设计工具对疓关键词:山东大学硕士学位论文籄/
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论文作者签名:蒸麴垒关于学位论文使用授权的声明原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。论文作者签名:本人完全了解山东大学有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅;本人授权山东大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文和汇编本学位论文。C苈畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑导师签名.
引言材料因其来源丰富、制备简单、工艺成熟、成本低等众多优势,一直在微电子领域中占据着举足轻重的地位。然而,随着科学技术的不断发展,人们对于半导体器件和电路和性能提出了越来越高的要求。材料自身的性质决定了它在高频、大功率及高温领域内的弱势。而人们也一直在寻求其它的材料来替代大及化学性质稳定等特点。而且,疓异质结构材料,即使不用任何掺杂,仅通过极化应力就可在疓异质界面的量子阱中产生高达/亩在高频、大功率及高温领域有广阔的应用前景。因此,这些年来,疓异质结场效应晶体管/趣。虽然人们对于疓器件的研究已经持续了很多年,深度和广度器件仍然有许多的问题需要解决,比较牧系闹聘鳎匀刃вΦ取取得了很大的进步,但是长期以来国内外对于疓器件的计算机仿真主要还是通过联立求解薛定谔方程和泊松方程的方法来进行的,而没有使用专门的计算机