文档介绍：亘￡里星甑壁￡翾堡幽北京工业大学硕士学位论文兰亘簓箧丝金物坐昱佳挝魁塑亘莲腿的兰￡里刻蚀硒究磺敌抢级椤髯鼓题’英文并歹题目兰亘兰:闝丛￡荡宰孤汛载ā闝盟坠卫￡』国内图书分类号:单位代码:学号:密级:公开专生θ跣┨濒鹛锟镗沿Ч曼至峨论文报告提交日期授予单位名称和地址●
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导师签名:阻日期:巡岁/¨Ⅲ璮南面唔独创性声明关于论文使用授权的说明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得北京工业大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。本人完全了解北京工业大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留送交论文的复印件,允许论文被查阅和借阅;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。C艿穆畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑签名:
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摘要劝氲继宀牧仙钊胙芯苛似淇淌垂媛桑迪至薌诅牧系挠薪嵌炔啾诳淌矗因此本论文对瞫材料的有角度刻蚀进行了研究。通过对材料刻蚀近年来,虺艻淌醇际踝魑R恢中滦说母密度等离子体干法刻蚀技术,在对硅、二氧化硅、甐族化合物等半导体材料的刻蚀方面获得了很好的效果,已被广泛应用到了各种光电子器件的制作工艺中。目前,人们常采用这一技术制作骷奶厥饨峁梗琇骷亩嗣妫面,光栅等结构。在以上应用中,要求刻蚀侧壁平滑度高,且随着近年来器件集成度的不断提高,器件尺寸越来越小,对刻蚀的精细度要求也越来越高。人们不断在淌醇际醯难芯苛煊蛑醒扒蟾髦滞黄频悖嵘骷票感剩呕骷性能。,,材料等母咚率刻蚀研究上。在以上研究中,要求刻蚀形貌良好,还需考虑刻蚀掩模的状态指标,刻蚀速率的可控性,以及对刻蚀设备的污染程度等。因此,通过对淌过程以及刻蚀前后的各项参数的实验与研究,分析各种因素对刻蚀情况的影响,从而提出最优刻蚀条件,才能实现器件结构及制备工程的优化,制作出高性能光电器件。本论文通过采用感应耦合等离子体煞ǹ淌聪低常艷珹牧系目淌醇癆牧系挠呕淌础>咛骞ぷ魅缦拢瓽牧嫌薪嵌炔啾诳淌囱芯俊S捎贕怪辈啾诘目淌囱芯恳丫浅成熟,而近年来许多特殊结构的出现要求器件具备倾斜有角度的平滑侧壁,机制的了解,并结合实现有角度刻蚀机理的理论分析,我们以控制材料的刻蚀速率对光刻胶掩模的刻蚀速率比来实现有角度的侧壁。我们先选择一定的淌聪低巢问ü笛檠芯縄功率、功率、气体比例对刻蚀速率及选择比的影响,总结其规律,最后确定最佳淌床问迪了刻蚀样品倾斜角度的形成。同时,我们对刻蚀形貌进行治觯ü加入气体消除刻蚀后的残余物在刻蚀表面的覆盖并缓解了侧壁的粗糙度,且利用訥牧辖锌淌矗饩隽丝淌垂讨锌淌幢砻嫖露裙高导致形貌扭曲的问题。最后,我们比较了不同刻蚀条件下骷男能。
压强,/锄疌目淌雌辶髁肯拢颐堑玫搅俗畲化沉积物,保证刻蚀速率的稳定性;并加大时流量在刻蚀气体中的比例来甀薄膜的刻蚀研究。且恢指呒馨氲继澹苣咽迪指咚俾实目淌础本论文中,我们研究了目淌椿恚饪探貉谀5闹票柑跫约捌湓诓同的刻蚀环境中发生的状态变化,目淌此俾仕孀鸥鞴ひ詹问浠墓律。通过总结实验规律,在功率,β剩】痬的刻蚀速率并获得了光滑平整的刻蚀侧壁形貌。瓵牧系目淌囱芯俊牧显诳淌垂讨杏捎谄銩K匾妆谎化成难以刻蚀的沉积物覆盖在刻蚀表面而阻碍刻蚀反应的进行,导致刻蚀速率的不稳定及刻蚀形貌卡且糙。本论文以材料的刻蚀研究为依据,通过加大功率对表面的沉积物进行物理轰击刻蚀,有效地清除了刻蚀表面氧控制刻蚀的速率,使其不会随着β实脑龃蠖该驮黾印币捕员面沉积物的刻蚀具有促进作用,也能从根本上消除表面生成物的沉积。通过对材料刻蚀的优化,我们实现了在适当的刻蚀速率下刻蚀出光滑平整的表面形貌。关键词:刻蚀;北京荡笱学硕十论文;
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录目摘要⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..第绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯甐族化合物半导体的应用及发展现状⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯半导体制造业发展现状与展望⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯刻蚀技术在半导体器件制备中的应用及发展⋯⋯