文档介绍：等离子体辅助电子束蒸发沉积粼覶∧ぜ等离子体参数诊断与研究摘要专业:微电子学与固体电子学申请人:王辉导师:陈俊芳半导体氧化物鹤魑R恢掷丛垂惴海阅芪榷ǎ陨镂薅镜扔诺愕牟牧媳应用到纳米薄膜技术中来,引起了国内外研究者的广泛兴趣。J且恢挚斫氲继化合物,其禁带宽度约为耦芽,只有在波长较短的紫外光激发下才能表现出对光吸收的活性,改变5慕矶仁刮展馄紫蚩杉饫┱箍梢蕴岣咛裟芾寐省掺杂是一种能够降低航矶确浅S行У姆椒ǎ琓粼幽壳爸饕S辛街址椒ǎ航属元素掺杂和非金属元素掺杂。本文利用高真空离子束辅助电子枪蒸发沉积法制备了非金属K夭粼拥腡。薄膜。本文首先利用单探针探究等离子体辅助实验装置反应室内不同测量孔等离子体密度的轴向分布特性及等离子体密度随着气压等的变化特性,从而寻找出更佳的沉积薄膜的工艺,结果表明:靠近离子源源口中心位置的等离子体密度高,远离中心位置的等离子体密度相应偏低,在外孔离子密度最大,可达到痗,而在中孔和里孔的离子密度明显偏低,且外孔和中孔密度变化大而里孔密度变化比较缓慢。由此可知里孔区域离子密度分布均匀性好,适合于蒸镀薄膜。此外,在反应室的同一个位置,等离子体密度随着气压的增大而增大。而等离子体密度在沿轴向位置的变化方面,则随着距离离子源轴向位置的增大而密度变小。利用传统的高真空技术,结合产生高密度的等离子体源的偷缱邮牌<际酰在玻璃衬底上制备出了纯罕∧ず蚇掺杂1∧ぁT谡舳票∧な保谋涔ひ詹问等离子体辅助电子束蒸发沉积粼覶∧ぜ暗壤胱犹逵华南师范大学硕士学位论文
关键词:等离子体诊断;低温沉积;氮掺杂;二氧化钛薄膜中国分类号:.文献标识码:如电子束电流、气体流量等,并对薄膜进行退火处理。通过对薄膜进行、、—等测试表明:瓵分析可知,随着衬底温度的升高,薄膜颗粒的直径和高度明显增加,但颗粒之间的聚集度较弱,同时薄膜的平均粗糙度也单调增加,从媸钡黾到媸钡.;对薄膜样品进行退火处理,可以使薄膜纳米颗粒晶化,而且随着退火温度的升高℃~,晶粒尺寸越大,晶化也越完全。甔分析粼覶。薄膜可知,在衬底温度为保∧っ挥醒苌峰出现,呈非晶态;通过对薄膜样品的退火处理,可以使D擅卓帕O蛉耦芽笙转变,并且随着退火温度的升高℃~,薄膜晶型发育越完全,结晶程度越完好,由非晶转变为锐钛矿相,呈晶面择优取向。瓼狪治隹芍#处的吸收峰,是由纳焖跽穸鸬模宜着退火温度的升高强度略有增加;随着热处理温度的升高,和一基团的振动峰向低波数方向移动,从未经热处理的减少到却砗蟮~。红外光谱图中分析显示锐钛矿中的键振动峰随温度的升高有红移的现象产生。甎治瞿擅譔掺杂罕∧た芍#倭康腘掺杂减小了5慕矶龋并且随着退火温度的升高,禁带宽度逐渐减小,从减小到枰<し⒓鄞电子跃迁到导带即吸收的光子能量减小,边缘波长显示了红移。摘要
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第一章绪论......⋯...⋯.....................⋯一粼覶。薄膜研究现状及发展趋势⋯⋯..⋯⋯⋯.一粼覶。薄膜制备方法⋯⋯⋯.....⋯⋯⋯⋯..一粼覶。薄膜的应用研究⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..一第二章等离子体实验装置及原理⋯⋯⋯⋯.⋯⋯.—K夭粼有翁—本文研究的目的、意义和基本内容⋯⋯⋯⋯⋯.⋯.一菏笛樽爸谩等离子产生和引出系统及原理⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..—.渌粼印—.芙阂荒悍ā—.ι浞ǎ—.呶卤荷辗ā—.龀寮す獬粱⋯⋯⋯.⋯.⋯⋯...⋯⋯—薄膜的其它方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯∧ぜ暗壤胱犹宀问锒嫌胙芯华南师范大学硕士学位论文
真空镀膜机操作步骤⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.一本章小结..⋯⋯..⋯⋯⋯⋯.⋯⋯.......⋯..一第三章等离子参数诊断........⋯⋯.⋯..⋯⋯..一驳绲ヌ秸胝锒稀本章小结.⋯..⋯⋯...⋯⋯⋯.⋯.⋯.⋯⋯..一一基片清洗工艺....⋯⋯.⋯⋯⋯........⋯⋯...一—罕∧ぱ返墓ひ詹问罕∧さ谋碚鳌离子体辅助电子束蒸发镀膜的优点⋯⋯..⋯.⋯⋯.∧ぁ1∧=∧ぃ薄膜⋯...⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..一—第五章粼覶第四章等离子辅助电子枪蒸发沉积粼覶罕∧すひ找制备粼覶罕∧.Ⅵ目录
参考文献⋯⋯..⋯⋯⋯..⋯..⋯.⋯.⋯⋯一一谢..⋯..⋯⋯⋯..:⋯.⋯⋯⋯...⋯.⋯一一罕∧さ腁分析⋯