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等离子体辅助电子束蒸发低温制备纳光子薄膜刘富强胡巧多郑玉祥陈良尧盛明裕,赵源红外与毫米波学报引言—,—,随着现代能源技术和信息技术的发展,光伏器件、光电子器件微型化和集成化的程度越来越高,∧な侵票腹杌夥件、硅基电致发光器件、,纳米尺寸∧ぶ饕1蛔魑R恢直砻娑化层⋯.在硅基电致发光器件研究中,纳米尺寸的罕∧ぷ魑>挡悖梢蕴岣叻⒐庑剩竦媒低的开启电压【.在光子窄带带通滤波器中,纳米尺寸的∧、低功耗、高密度大规模微电子集成电路技术领域,∧さ拇持票阜椒ㄓ腥妊趸ā⒌~卵趸杵砻嫘纬蒘:薄膜,包括干氧氧化、湿氧氧化以及水汽氧化法”。】.采用热氧化法,:——,光科学与工程系,上海;虾I萄г海缱有畔⑾担虾虾5诙ひ荡笱В畔⑾允居牍獾缂际跸担虾摘要:晒庾颖∧ぴ诠夥煊颉⒛晒庾雍臀⒌缱友Я煊蚶镉凶殴惴旱挠τ茫捎玫壤胱犹甯ㄖ缱邮舴⒎椒在低温条件下制备疭晒庾颖∧ぱ罚ü衷财窆馄追治龇ㄑ芯勘∧す庋灾仕种工艺条件に率、衬底温度和射频等离子辅助功率谋浠媛桑竦昧吮∧さ幕怠⒒Ш凸庋阅苡庞诖撤椒ǖ哪晒庾颖关键词:等离子体辅助;电子束蒸发;纳光子薄膜中图分类号:.文献标识码:.,琒,,.年,膜工艺制备条件.,..甕”現,甌簆籩籲收稿日期:藁厝掌冢基金项目:上海市教委创新项目作者简介:盛明裕,女,上海人,上海商学院讲师,博士,主要研究微纳光学薄膜制备、光谱特性分析,’通讯作者:猰簂蓿甤琋瓺:./瓸·,籪,,—:...瓵且:·瑀:
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实验方法和杂质扩散等问题,,具有速度快、污染小等优点,但它制备的薄膜堆积密度不够高,是含有孔隙的柱状疏松结构,,容易生成擅妆∧“¨.为了制备应力小、结构致密、元素化学态和化学配比稳定的罕∧ぃ竟ぷ鞑捎玫壤胱犹甯ㄖ子束蒸发方法在基片嫔现票噶薙:纳光子薄膜样品,样品的膜层厚度被石英晶体振荡控制器预置在疚氖紫炔捎猛衷财窆馄追析方法研究三种工艺条件に俾省⒊牡孜露群射频等离子辅助功率、员∧す庋灾实谋浠律,,采用扫描电子显微镜饬垦返谋砻嫘蚊玻琗射线光电子能谱饬勘∧ぴK氐幕突学配比,:采用等离子辅助电子束蒸发方法制备的耗晒庾颖∧ぃ唤隹以通过降低制备温度从而降低薄膜的热应力,而且薄膜结构致密,化学态和组分接近理想值,表面平整,其机械、、胱釉锤ㄖ沉积、,蒸镀前本底真空度优于~,真空室里有两台功率为的偷缱忧购鸵惶ü