文档介绍：●目录●半导体●PN结●扩散●电池效率的损失●扩散与栅线设计●:导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。本征半导体:完全纯净的、结构完整、不含缺陷的半导体晶体pa+=0K时,所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中,不会成为自由电子,因此本征半导体的导电能力很弱,,也称热激发当温度升高或受到光的照射时,束缚电子能量增高,有的电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为自由电子。自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位,称为空穴。2半导体22非本征半导体221N型半导体在本征S和Ge中掺入微量五价元素后形成的杂质半导体。●杂质元素:磷,***●多子:电子●少子:空穴●P:施主杂质提供电子"399O④,,+4+4)少数载流子多数载流子2半导体22非本征半导体222P型半导体在本征Si和Ge中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体。●杂质元素:硼,铟●多子:空穴●少子:电子●P:受主杂质●(+4)(B·●(+)提供空穴))OOOO+4+4)多数载流少数载流子」:相同材料形成的结如不同参杂的硅片)结半导体异质结(两种半导异质结:不同材料形」体材料之间组成的结)成的结半导体非半导体异质结肖特基势垒结、MOS异质结MIS)((⊙.<N建立内电场扩散运动和漂移少数载流子的漂移运动运动达到动态平衡,交界面形成稳定的空间电荷空间电荷区变窄内电场E1削弱区,即N结。:电位能的级别。能带:大量的能级形成能带。价带:在绝对零度下能被电子占满的最高能带,全充满的能带中的电子不能再固体中自由运动。导带:自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。费米能级:该能级上的一个状态被电子占据的几率为1/2,,电子占据各个能级的几率是不等的。占据低能级的电子多而占据高能级的电子少。统计物理学指出,电子占据能级的几率遵循费米统计规律:在热平衡状态下,能量为E的能级被一个电子占据的几率为:f(E)1+exp[(e-EF/kTf(E)称为电子的费米分布函数,k、T分别为玻尔兹曼常数和绝对温度,E称为费米能级。只要知道E的数值,在一定温度下,电子在各量子态上的统计分布就完全确定了。在一定的温度下,费米能级附近的部分能量小于E的电子会被激发到E以上,温度越高,被激发的概率越大。