文档介绍：浙江大学
硕士学位论文
基于标准CMOS工艺的非易失性存储器的研究
姓名:黄科杰
申请学位级别:硕士
专业:电路与系统
指导教师:沈海斌
20060501
中文摘要相邻放置的管和管组成,它们有一个被绝缘隔离的普通的多晶硅在电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储器件嵌入到电路中,这是由于传统的非易失性存储器需要多层多晶硅,不同的栅氧化层厚度,以及需要调整不同的掺杂浓度等等,都增加了工艺的复杂性和成本。这里提出的结构解决了这个问题,它利用标准晶体管来实现非易失性存储器,这样就不需要额外的掩膜或工艺步骤。这样在成本和崭丛有缘确矫媸垢闷骷哂泻艽蟮挠势,而且在一些需要一。些小容量的非易失性存储器的嵌入式应用中,将会很有市这里提出了一个基于标准工艺的单层多晶硅的非易失性存储器。它由栅,它被用来作为“浮栅”。而管中在栅下面的扩散区用来作为控制栅。电荷从浮栅中移入移出有很多种方法,而无论是擦除还是编程,它们都是使电荷穿过一层绝缘的材料。文中首先介绍了两种主要的电荷注入机制,热电子注入机制和穿隧机制,而热电子注入电流经常用“幸运电子”模型来分析和仿真。一般用热电子注入来对器件进行写入操作,电子穿隧来对器件进行擦除器件用蚑辛朔抡妗D獾谋曜糲工艺来建立一个所提出的三维的器件模型,挥美捶抡娓闷骷囊恍特性。从仿真结果中可以看出,该器件在特定的编程电压和擦写电压下,可以对其进行编程和擦除的操作。本课题所做的工作主要都是在模型的建立与仿真上,这是本课题的重点也是难点。接着又比较了两种阵列结构并提出了它们的电路图。基于设计上的考虑,选择了庵终罅薪峁梗姨岢隽艘桓×腘的版图结构,并分析了阵列中的扰动机制。最后提出了整个非易失性存储器的总体框图,并介绍和仿真了非易失性存储器中两个比较重要的外围电路。缪贡帽挥美床哐梗业缏肺A减小体效应的影响进行了改进。灵敏放大器从触发器性灵敏放大器改进而来,后者一般用于中。关键词:非易失性存储器,标准工艺,热电子注入,福乐一诺德汉穿隧场。操作。浙江大学硕士学位论文/。
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