文档介绍：葶震师箢天擎深亚微米且资源娲⑵鞯目煽啃匝芯届研究生硕士学位论文学校代码:号:专年峦瓿学院届华东师范大学硕士研究生学位论文
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本人签名豳导师签名名鲨点』￡性研究》,是在华东师范大学攻读砸石博士牍囱学位期间,在导师的指导华东师范大学学位论文原创性声明日期:西年’,适用上述授权。郑重声明:本人呈交的学位论文《深亚微米且资源娲⑵鞯目煽下进行的研究工作及取得的研究成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含其他个人已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均己在文中作了明确说明并表示谢意。作者签名:《深亚微米且资源娲⑵鞯目煽啃匝芯俊废当救嗽诨6Ψ洞笱攻读学位期间在导师指导下完成的硬差/博士牍囱学位论文,本论文的研究成果归华东师范大学所有。本人同意华东师范大学根据相关规定保留和使用此学位论文,并向主管部门和相关机构如国家图书馆、中信所和“知网’’送交学位论文的印刷版和电子版;允许学位论文进入华东师范大学图书馆及数据库被查阅、借阅;同意学校将学位论文加入全国博士、硕士学位论文共建单位数据库进行检索,将学位论文的标题和摘要汇编出版,采用影印、缩印或者其它方式合理复制学位论文。“内部”或“涉密宦畚年日解密,解密后适用上述授权。·,于月过的学位论文韪交衽摹痘6Ψ洞笱а芯可昵胙宦畚摹吧婷堋鄙笈怼贩·“涉密”学位论文应是已经华东师范大学学位评定委员会办公室或保密委员会审定为有效淳鲜霾棵派蠖ǖ难宦畚木9ǹQ宦畚摹4松骼覆惶钚吹模为公开学位论文,均适用上述授权枣·
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摘要和抗擦写能力綾的工艺技术。本论文主要展开鞸非易失性存储器的可靠性研究,探索了提高随着便携式电子产品的快速发展特别是在工艺特征尺寸小于以后,浮栅型闪存面临结击穿、短沟道效应、面积大、编程/擦除电压高、漏电过度反常、过擦除等问题。甇..叠栅型存储技术以其低电压、低功耗、易与工艺兼容特性成为深亚微米乃至纳米工艺代存储技术优选方案之一。随着骷叽绲募跣。泶┭趸璨愫穸炔欢霞醣。器件的电荷保持性能及抗擦写能力等可靠性参数成为技术研究的重点之一。本文在分析骷峁埂⒐ぷ骰坪偷绾尚孤痘频幕∩、隧穿氧化层厚度优化及叠栅形成过程中气流、炉管温度均匀性及成膜温度调整等研究。最终总结得到可靠性参数更优的眒ひ章废摺1疚牡玫降墓ひ沼呕椒ㄓ腥缦录一、在隧穿氧化层形成工艺步骤后进行适当的胀嘶穑ü許器件进行甐、甈测量表明:退火后,电荷泵电流值藜跣≡嘉%,器件特征尺寸的不同,最佳隧穿氧化层厚度也不同:三、赡す讨校芷骱臀露鹊木刃跃云骷煽啃杂杏跋欤四、适当的赡の露扔欣谔岣咂骷煽啃浴Q芯恐校ü露鹊髡本文工作为提高骷阅芴峁┝死砺酆图际踔С牛参L卣鞒叽绮断缩小的娲⑵餮芯亢透咚搅坎蛳铝擞幸娴幕关键词:硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅豢煽啃裕皇倜还ひ沼呕骷绾杀3中阅点:阈值电压的退化速率也明显减小;二、隧穿氧化层厚度与器件的电荷保持性能并不是呈简单的线性关系,工艺位于项层的器件寿命中值更是位于底层的叮使得踊俣冉档土%。●’;
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