文档介绍：北京工业大学
硕士学位论文
电子束蒸发法制备立方氮化硼薄膜及其光电性质研究
姓名:汪旭洋
申请学位级别:硕士
专业:凝聚态物理
指导教师:邓金祥
20090501
⒖泶丁⒏呷导率、高热稳定性和化学稳定性,可进行型掺杂也可进行筒粼印T诹ρА热学、光学、电子学等领域具有广阔的应用前景。因此,瓸∧さ闹票负托质研究一直是国际上研究的热点同时也是难点之一。本文主要研究了电子束蒸发法制备瓸∧;薄膜的折射率、吸收系数等光学性质;薄膜的筒粼蛹芭纺方哟サ牡缪用电子束蒸发法制备瓸∧ぃü鼺追治霰∧こ煞郑⑾种票傅样品薄膜是富硼氮化硼薄膜;对样品进行退火处理,退火温度分别为妗妗℃,退火时间均为∈保嘶鸾峁砻鳎罕∧ぶ械牧⒎较嗪克孀退火温度的升高而增加,媸且桓鲎詈玫耐嘶鹞露龋煌倍酝檠稾的研究发现,退火前的样品氮硼比远远小于嘶鹞露鹊纳仙沟帽∧ぱ分械氮硼比也迅速升高,当退火温度达到媸保∧ぶ械E鸨然窘咏趌。的研究和研究结果相吻合。通过测量瓸∧ぱ返淖贤夥瓷涔馄識模⒂、消光系数九约拔障凳【瘢浣峁胛南椎谋ǖ阑用离子注入的方法掺入对瓸∧そ蠵型掺杂,通过对几种样品膜进行不同剂量的掺杂,并用测试薄膜的甐特性,在高掺杂剂量的条件下,,。同时研究退火对欧姆接触的影响,我们发现在退火后的表面接触电阻率比退火前有明显下降,这说明退火有利于欧关键词立方氮化硼薄膜;电子束蒸发;退火:光学性质;电学性质特性。本吻合。姆接触的形成。
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微:彳弛奇一各例≮吼跏..彳日期:叩’殳砂独创性声明关于论文使用授权的说明本人完全了解北京工业大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留送交论文的复印件,允许论文被查阅和借阅;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。C艿穆畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得北京工业大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。
第滦髀的几种异构体三代半导体材料的研究成为各国竞争的热剧。。其中六角氮化硼①.土庑蔚;瓸慕峁故抢嗨朴和分别为第一代、第二代半导体材料的代表。它们的发展推动了微电子技术、光电子技术的发展,以此为基础的信息技术的发展为人类生活带来了巨大变化。但是受材料本身性能的限制,第一代、第二代半导体材料只能工作在嬉韵碌幕肪持校铱狗洹⒛透哐够鞔┬阅芤约胺⑸淇杉獠ǔし段Ф不能完全满足现代电子技术发展的新要求。而金刚石、氮化铝、氮化镓、碳化硅和氮化硼之类的宽带隙化合物材料,在短波长光电子器件、高频大功率器件和耐高温器件等方面远远超过硅和,被称为第三代半导体,在这种情况下,第一种新型半导体材料,具有优异的物理化学性质,如高硬度、宽带隙、高热导率、高热稳定性和化学稳定性【~。其在力学、热学、光学、电子学等领域具有广阔的应用前景,除应用于铁基合金刀具涂层,在短波长光电子器件、高频大功率器件和耐高温器件等领域的应用也具有硅和砷化镓难以比拟的优势。随着薄膜科学技术的发展,瓸∧さ暮铣上忠殉晌H嗣茄芯康娜鹊悖其在热学、光学、电学和声学等方面的优异性能开拓了新的应用领域,使其进一步在微电子技术、光电子技术、计算机技术、传感器技术、航空航天技术等一系列高技术领域的应用成为可能。Ⅲ.寤衔锏;兴闹种饕R旃固濉廷糇逶K谻类似,既石墨的平面网状结构,而瓸拖诵靠蟮;慕峁故抢嗨朴诮鸶帐正四面体结构。四种主要结构如图所示。的四种主要同素异构体中,,
鏊鼯的布奂慵渥饔檬侨醯姆兜峦叨辜蚨鴋谻轴方向键合力小,瓸粲诹骄担峁估嗨朴谑ǎ哂胁阕淳褰峁梗恳徊阌葿原子和咏惶媾帕凶槌梢桓銎矫媪腔罚谻轴方向各层原子按⋯方用做电子器件中的绝缘膜。此外,瓸谄叫杏贑轴的方向上折射率为间以踊绞匠杉捕冉龃斡赾.,也是一种超硬材料,可用属于三角晶系,结构和类似,只是沿岱较蛟硬阋訟方式排列,晶