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氧化铟锡薄膜的电子束蒸发制备及其电学性质的研究.pdf

上传人:durian 2014/5/16 文件大小:0 KB

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文档介绍

文档介绍:厦门大学
硕士学位论文
氧化铟锡薄膜的电子束蒸发制备及其电学性质的研究
姓名:李文杰
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:方辉
20090501
捅姜氧化铟锡捎谄湓诳杉馇母咄干渎屎偷偷缱杪剩魑R恢滞该导电薄膜被广泛的应用于太阳能电池和液晶显示器等各种光电设备中。作为一种能被用于高温的压阻材料,国外对其压阻效应已经有了足够的重视,新的研究还在不断地展开,但是国内对此的研究还相当少。本文意在通过测量氧化铟锡的电阻温度系数褪椅孪碌南煊σ蜃永囱芯垦趸魑难棺栊вΑ使用电子束蒸发技术,选择合适的生长参数在玻璃衬底上制备所需的氧化铟锡薄膜,进行了化学成分、晶体结构、光学性质等常规测量,并研究了退火对薄膜性质的影响。然后用光刻和刻蚀的方法制作电学测试所需的图形。对于辐射来改变返奈露龋饬吭诓煌露认碌谋∧さ缱柚担⒔⒘艘桓理论模型来拟合温度下降阶段返缱柚档谋浠⒋幽夂喜问械玫狡应变下夹窝返牡缱柚担扑愕玫狡湎煊σ蜃印S捎贗样品的电阻值了这一漂移量带来的影响。同时还估算了由于测试电流产生的焦耳热引起的温关键词:氧化铟锡,电子束蒸发,压阻效应,响应因子,电阻温度系数薄膜的电学测试包括对其电阻温度系数和响应因子的测量两部分。前者是用黑体电阻温度系数和激活能。后者是在室温下,通过改变薄膜一端的位移,测量不同在测量过程中存在一个不能被忽视的随着时间的漂移量,所以在计算过程中考虑升,证明温升引起的电阻变化远远小于压阻效应,可以忽略。实验中分别测量样品在拉应变和压应变不同条件下的响应因子,得到的响应因子大约为.
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声明人┟:童≤之。月。日厦门大学学位论文原创性声明本人呈交的学位论文是本人在导师指导下,独立完成的研究成果。本人在论文写作中参考其他个人或集体已经发表的研究成果,均在文中以适当方式明确标明,并符合法律规范和《厦门大学研究生学术活动规范孕》。另外,该学位论文为翁组的研究成果,获得翁组鸦蚴笛槭业资助,在笛槭彝瓿伞请在以上括号内填写课题或课题组负责人或实验室名称,未有此项声明内容的,可以不作特别声明。
。厂年乡月寥声明人┟:—数生一厦门大学学位论文著作权使用声明本人同意厦门大学根据《中华人民共和国学位条例暂行实施办法》等规定保留和使用此学位论文,并向主管部门或其指定机构送交学位论文ㄖ街拾婧偷缱影,允许学位论文进入厦门大学图书馆及其数据库被查阅、借阅。本人同意厦门大学将学位论文加入全国博士、硕士学位论文共建单位数据库进行检索,将学位论文的标题和摘要汇编出版,采用影印、缩印或者其它方式合理复制学位论文。本学位论文属于:妹糯笱ПC芪被嵘蟛楹硕ǖ谋C苎宦畚模年月日解密,解密后适用上述授权。.不保密,适用上述授权。朐谝陨舷嘤ê拍诖颉啊或填上相应内容。保密学位论文应是已经厦门大学保密委员会审定过的学位论文,未经厦门大学保密委员会审定的学位论文均为公开学位论文。此声明栏不填写的,默认为公开学位论文,均适用上述授权。/
第一章绪论引言薄膜的研究及其发展史可以追溯到世纪。。但是由于早期技术的落后,所制得的薄膜重复性较差,薄膜的应用局限于抗腐蚀和制造镜面。在制备薄膜的真空系统和检测系统绲复性才大有改观,从此薄膜的应用也迅速拓展。世纪年代以后,随着微电子和信息产业技术的迅猛发展,薄膜技术和薄膜材料愈发显示出其重要性。特别是在大规模集成电路的微型化方面,薄膜材料与薄膜技术更是显示出其得天独厚的优势。现在薄膜技术和薄膜材料已经渗透到现代科技和国民经济的各个重要领域,如航空航天、医药、能源、交通和通信等。如今,薄膜材料正在向综合型、智能型、复合型、环保型、节能型以及纳米可见光范围内的高透射率、红外高反射率及半导体特性,被广泛的应用于太阳能电池、显示器、气敏元件、抗静电涂层以及战机和巡航导弹的窗口等,在薄膜制,或称为掺锡的氧化铟薄膜,简称∧ぁ薄膜诞生之初主要用于减少钠灯的热量损失。从年代开始,魑V饕5耐该鞯嫉绮牧隙还惴甑谝淮伪槐ǖ谰哂醒棺栊вΓ婧笫曛幸灿幸恍┝闵⒌谋道【。压阻效应是指当一种材料产生一定的形变时,其内在电阻率会发生变化,而不仅仅是电阻发生改变。对棺栊вΦ难芯抗瘫砻鳎辈牧喜皇粲谥流工艺中的应用材料或材料展现出与它最常用性质不同的新特性时,容易被忽略甆鄄斓皆谝禾灞砻嫔弦禾灞∧げ南喔刹噬ɑㄎ啤W源耍员∧さ子显微镜、低能电子衍射以及其它表面分析技术辛顺ぷ憬揭院螅∧さ闹化方向发展。在薄膜的发展过程中,出现了一类具有特殊性能的薄膜,透明导电氧化物琓∧ぁ薄膜以其接近金属的导电率、备和应用领域占有一席之地。目前研究和应用最多的是氧化铟锡应用。
砌“,。唬妻个∧·,·或避开,形成认识方面的空白。半导体革命刚刚兴起,发展势头迅猛