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2021年极大规模集成电路制造装备及成套基础工艺.doc

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2021年极大规模集成电路制造装备及成套基础工艺.doc

上传人:非学无以广才 2020/11/10 文件大小:219 KB

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2021年极大规模集成电路制造装备及成套基础工艺.doc

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文档介绍

文档介绍:国家科技重大专题
“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”
20XX年项目指南
为推进中国集成电路制造产业发展,提升中国集成电路制造装备、工艺及材料技术自主创新能力,充足调动中国力量为重大专题有效实施发挥作用,国家科技重大专题“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”依据实施方案和“十一五”实施计划,安排一批项目在全国公开公布,经过竞争择优方法选择优势单位负担项目。
项目申请范围
依据附件1列出项目指南说明,进行项目申请,编制《项目申报书》。
项目申报和组织方法
由专题实施管理办公室组织,经过教育部、工业和信息化部、中国科学院、国资委和各省(市)科委(厅、局)向所辖企业、直属高校、科研院所公布指南,组织所辖单位编制项目申报材料,由各主管部门汇总后统一报送专题实施管理办公室。
专题实施管理办公室对各部门(地方)申报项目进行汇总后,由专题总体组组织教授进行申请材料初审,筛选符合专题要求优势单位提交专题办公室,由专题办公室组织评审委员会进行正式评审,择优委托主负担单位,在专题总体组指导下组织产学研用联盟负担项目。
项目申报单位基础要求
在中国境内注册中资控股企业,注册资本为申请国拨经费10%以上。
含有独立法人资格科研院所和高校。
同一单位此次主负担项目标准上不超出2项。同一个人负责项目不能超出1项,参与项目不能超出2项。
配套资金要求
全部产品开发和产业化项目需由地方政府或行业主管部门提供不少于中央财政经费配套资金。
报送要求
每个项目报送《项目申报书》纸质材料一式20份(具体要求见附件3)及电子版(光盘)1份,和其它材料(见附件2)。
联络方法
联络人:张国铭、高华东、王泓
联络电话:010-51530051,51530052,64369398
电子邮件:
通讯地址:北京市海淀区知春路27号(大运村)量子芯座集成电路设计园403室
邮 编:100083
截止时间
20XX年10月6日17:00前送达专题实施管理办公室。
附件1
20XX年项目指南说明
集成电路装备
项目任务:65nm PVD设备研发和应用
项目编号:20XXZX020XX
项目类别:产品开发和产业化
项目目标:研究开发面向65nm极大规模集成电路生产线PVD设备,取得关键自主知识产权,满足65纳米主流工艺相关参数要求,性能指标达成同类产品,并经过65纳米大生产线考评和用户认证,含有产业化能力及市场竞争力,在65nm集成电路大生产企业取得5台以上应用。
项目负担单位要求:主负担单位要求是独立法人集成电路装备企业或企业性质研究所,组织产学研用联盟联合负担项目。研发团体应有稳定队伍并有国际前沿技术研发能力,需要含有知识创新能力,含有产业化能力和经验。
实施期限:20XX-20XX年

项目任务:65nm互连镀铜设备研发和应用
项目编号:20XXZX020XX
项目类别:产品开发和产业化
项目目标:研究开发面向65nm极大规模集成电路生产线镀铜设备,取得关键自主知识产权,满足65纳米主流工艺相关参数要求,性能指标达成同类产品,经过65纳米大生产线考评及用户认证,含有产业化能力及市场竞争力,在65nm集成电路大生产企业取得5台以上应用。
项目负担单位要求:主负担单位要求是独立法人集成电路装备企业或企业性质研究所,组织产学研用联盟联合负担项目。研发团体应有稳定队伍并有国际前沿技术研发能力,需要含有知识创新能力,含有一定产业化能力和经验。
实施期限:20XX-20XX年

项目任务:65nm快速热退火设备研发和应用
项目编号:20XXZX020XX
项目类别:产品开发和产业化
项目目标:研究开发面向65nm/300mm集成电路生产线快速热退火设备,取得关键自主知识产权,满足65纳米主流工艺相关参数要求,性能指标达成同类产品,经过65纳米大生产线考评和用户认证,含有产业化能力及市场竞争力,在65nm集成电路大生产企业取得3台以上应用。
项目负担单位要求:主负担单位要求是独立法人集成电路装备企业或企业性质研究所,并组织产学研联盟联合负担项目。
实施期限:20XX-20XX年
项目任务: 90-65nm 匀胶显影设备研发和应用
项目编号:20XXZX020XX
项目类别:产品开发和产业化
项目目标:研究开发90-65nm极大规模集成电路制造用匀胶显影设备,取得关键自主知识产权,满足90-65纳米主流工艺相关参数要求,性能指标达成同类产品,经过大生产线考评和用户认证,含有产业化能力及市场竞争力,在65nm集成电路大生产企业取得3台以上应用。
项目负担单位要求:主负担单位要求是独立法人