文档介绍：1
簿霸粼瓣~;囊攀蕊鬻翼嚣》嚣攀势攀一黪鞯鳞张耢耢一一鹱黪雾鞯黪耪~一锈秘翁黪黪黪一一黪耱镑耢嚣黪一一锈黪蒋辚嚣转~}~辚雾一一黪黪¨*~涟一l=u鋈静黪黪嚣黪攀断掺黪黪黪黪黪"箍驻弼掺;黪赣鞯;;黪雾黪麓;锈籀茹赣~赣糯蛐m一雾黪¨¨嚣鹱一黪耢一一鞯黪一驻蒂穆一鮩黟批咪”辚一”黪一wM一黪鞯黪辚鞯黪一m~嚣黪嚣雾鳞嵇~聚牡籀簿蓦甓咎鞣~onugnm~黪嚣一一雾鞯一一黪黪一一黪嚣一~鞯黪耢~耢黪耢一辚嵇黪”黪嚣势一黪黪黪~黪雏鳞签粆黪势拨研鞯黪数彤辚黪mo')o(,海ⅰ罚琇珻、.,⑹、C)
2
3
摘要论文题目:学科专业:研究生:指导老师:金属琛诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究材料学蔡敏利蒋百灵教授签名:多晶硅薄膜电池因其低成本和高转换效率两方面的优势成为当前太阳能电池研究和开发的热点。本文采用金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜,研究了不同金属元素对玻璃衬底上的非晶硅薄膜的诱导晶化效果。本论文是在普通玻璃衬底上,首先采用直流磁控溅射技术在同一真空室中进行连续Glassa-SiXRD光光度计、光学显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜以及四点探针等对经金属诱导晶化制备的薄膜样品进行表征,系统研究了金属铝和铜两种不同诱导金属元素下,金属层厚度、退火温度对金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜的晶化效果影响规律。通过实验研究,得到以下结论:(1)300"C400诮鹗粲盏季Щ璞∧す讨校嗑Ч杩帕5纳ぞ哂蠸面的择优取向,并且随退火温度的提高,该择优取向也越明显。(3)a-Si层厚度一定时,只有适当范围内的金属厚度才能实现金属的诱导晶化过程,且该范围内存在一个最佳值。对于铝诱导晶化法,其需要的金属层较厚:铜诱导晶化法则金属量较少,86inn关键词:磁控溅射;金属诱导晶化;非晶硅薄膜;多晶硅薄膜
4
.——..堕塞堡三奎堂堡主堂篁迨奎————————————————————————————————————!!!!!!瘛!!!!!!!!!!!!猒———————————————一一
5
础,么’shown籥、篗filmsthickness豻篢PREPARATIONCRYSTALLINESignature(MIC)polySimicroscopeandandpoly-Siatd=300at,crystallizationSILlCONScienceNameMinliCAl:JIANG琒疢/琒,瑅siliconWasthecrystallinecrystallizationespeciallygrain86prosputteringMetal—solarcellsdrawninterestsduesignificantlymanufacture..,-inducedcrystallizationcharacterizedspectrophotometer,:playsimportantprocessUndertimethecrystallinityobviouslyincrement甌resultsindicatedTcu=
6
堕室堡三奎堂堡主堂篁笙壅———_.
7
目录32124I髀邸1**********.嗑Ч璞∧∧さ募浣又票阜ā157168笛榉桨浮实验材料及试样前处理⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯221镀膜过程⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯真空退火⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.薄膜性能和组织结构的表征⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.∧さ腦分析⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯25214253163Al18退火温度对金属诱导晶化的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯XRD183122l313223142331523砧层厚度对金属诱导晶化的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.32227光学显微镜分析⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯