文档介绍：分类号密级
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学位论又
指导教师姓名祁康成副教授
申请学位级别亚士专业名称遗迷工程
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论文提交日期论文答辩日期乙犷, 了了
学位授予单位和日期电子科技大学
答辩委员会主席教授
评阅人
年月日
注注明《国际十进分类法的类号
中文摘要
本文首先对显示技术的发展和多晶硅薄膜的制备方法以及应用前景进行了
综述, 同时对金属诱导非晶硅横向晶化制备多晶硅的研究现状以及诱导机理
与应用等进行了系统概述。
多晶硅薄膜晶体管一液晶显示器可以实现高分辨率、高集成度、
同时有效降低显示器的功耗, 因而成为目前平板显示领域主要研究方向而以
横向晶化多晶硅为有源层的由于在导电方向有更少的晶界、更低的金属杂
质污染、更高的载流子迁移率而成为目前有源矩阵液晶显示领域、投影显示、
显示等领域研究的热点。本论文系统的研究了基于光脉冲辐射的金属
横向诱导晶化低温一材料的制备及器件设计和制作工艺。
本研究中, 采用淀积法在玻璃基底上淀积州复合薄膜,
在最上层州上刻蚀窗口并以之为掩模用真空热蒸发方法蒸发镍, 使窗口中
和一接触, 采用金属横向诱导工和快速退火相结合的方法
制备了高质量的横向多晶硅带, 采用、、波谱分析等分析手段, 研究了
薄膜的成分和结构以及电气特性。
一薄膜在诱导下, 横向晶化温度降低到℃以下。在环境温度
℃, 光脉冲通断时间的条件下横向生长速率达到。对退火
温度、非晶硅薄膜厚度, 光脉冲宽度等参数对金属诱导横向晶化的影响
及晶化机理进行了深入的研究。经高分辨率透射电镜对镍条覆盖区的横向表面
的高分辩像研究, 发现成垂直分界线方向的柱状晶粒, 以柱状晶粒层为
的沟道, 得到大的迁移率。
对晶化机理的研究表明, 一在诱导下低温晶化是由于扩散进
一, 使一键从共价键变成类似于金属键形成了的硅化物, 降低了
一键的键强, 当薄膜在退火过程中, 一键断裂重组, 而形成晶核,
同时原子从晶态硅中析出, 继续向前面的一中扩散, 并形成一混
合层而继续诱导一晶化。
开创性地研究了在卤钨灯管照射下形成的快速退火和金属诱导横向生
长相结合的薄膜晶化, 观察到晶粒沿着垂直条方向的择优快速生长, 此创新
成果, 对玻璃基板上大面积低温工艺有重要意义。
关键词多晶硅、快速退火、金属诱导横向晶化、薄膜晶体管
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目录
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