文档介绍：模电复****资料
第一章半导体二极管

---导电能力介于导体和绝缘体之间物质(如硅Si、锗Ge)。
---光敏、热敏和掺杂特征。
----纯净含有单晶体结构半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷可移动空穴和电子统称为载流子。
--在本征半导体中掺入微量杂质形成半导体。表现是半导体掺杂特征。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体特征
　*载流子浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度和温度相关。
　*体电阻---通常把杂质半导体本身电阻称为体电阻。
　*转型---经过改变掺杂浓度，一个杂质半导体能够改型为另外一个杂质半导体。
7. PN结
* PN结接触电位差---~，~。
* PN结单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结伏安特征
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特征----同ＰＮ结。
*正向导通压降------~，~。
*死区电压------，。
------将二极管断开，分析二极管两端电位高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);
若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法
该式和伏安特征曲线
交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法
直流等效电路法
*总解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位高低:
若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);
若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型
微变等效电路法

稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管特征---正常工作时处于PN结反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基础放大电路
一. 三极管结构、类型及特点
---分为NPN和PNP两种。
---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，和基区接触
面积较小；集电区掺杂浓度较高，和基区接触面积较大。
二. 三极管工作原理
1. 三极管三种基础组态
2. 三极管内各极电流分配

* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件

式子称为穿透电流。
3. 共射电路特征曲线
*输入特征曲线---同二极管。
* 输出特征曲线
(饱和管压降，用UCES表示
放大区---发射结正偏，集电结反偏。
截止区---发射结反偏，集电结反偏。
4. 温度影响
温度升高，输入特征曲线向左移动。
温度升高ICBO、 ICEO 、 IC和β均增加。
三. 低频小信号等效模型（简化）
hie---输出端交流短路时输入电阻，
常见rbe表示；
hfe---输出端交流短路时正向电流传输比，
常见β表示；
四. 基础放大电路组成及其标准
1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2作用。
----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路图解分析法
1. 直流通路和静态分析
*概念---直流电流通回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点
*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定直线。
*电路参数对静态工作点影响
1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。
2）改变Rc ：Q点在IBQ所在那条输出特征曲线上移动。
3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。
2. 交流通路和动态分析
*概念---交流电流流通回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’
直线。
3. 静态工作点和非线性失真
（1）截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。
*消除方法---减小Rb，提升Q。
（2）饱和失真