文档介绍：硬件电子电路基础
关于本课程
1第一章半导体器件
§-1半导体基础知识
§-2 PN 结
1 §-3二极管 1
§-4晶体三极管
§-5场效应管
第二章基本放大电路
§ 2-1 晶体三极管基本放大电路
§ 2-2 反馈放大器的基本概念
§ 2-3频率特性的分析法
§ 2-4小信号选频放大电路
§ 2-5场效应管放大电路
j第三章模拟集成电路
§ 3- 1 恒流源电路
§ 3-2 差动放大电路
§ 3-3 集成运算放大电路
§ 3-4 集成运放的应用
§ 3-5限幅器（二极管接于运放输入电路中的限幅器）
§ 3-6 模拟乘法器
第四章功率放大电路
§ 4- 1功率放大电路的主要特点
1 § 4-2乙类功率放大电路 |
[ § 4-3丙类功率放大电路 |
§ 4-4丙类谐振倍频电路
第五章正弦波振荡器
§ 5- 1反馈型正弦波振荡器的工作原理
§ 5-2 LC正弦波振荡电路
§ 5-3 LC振荡器的频率稳定度
§ 5—4石英晶体振荡器
§ 5-5 RC正弦波振荡器
「 第八早 线性频率变换 振幅调制、检波、变频 [
§6—1调幅波的基本特性
§6-2调幅电路
§6— 3检波电路
§6 — 4变频
第七章非线性频率变换 角度调制与解调 一|
| § 7—1 概述 ―|
§ 7 — 2调角信号分析
§ 7 — 3调频及调相信号的产生
§ 7 — 4频率解调的基本原理和方法
第八章反馈控制电路 :
§ 8— 1自动增益控制（AGC）
§ 8— 2自动频率控制（AFC）
§ 8— 3自动相位控制（APC） PLL
第一章半导体器件
§1半导体基础知识
§-1PN 结
§-1二极管
§1晶体三极管
§-1场效应管
§1半导体基础知识
、什么是半导体
半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。（导电能力即电导率）
（如：硅Si锗Ge等+ 4价元素以及化合物）
、半导体的导电特性
本征半导体一一纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。
硅和锗的共价键结构。（略）
1、 半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化
? 掺杂一一管子
? 温度 热敏元件
? 光照一一光敏元件等
2、 半导体中的两种载流子一一自由电子和空穴
? 自由电子一一受束缚的电子 （－）
? 空穴 一一电子跳走以后留下的坑 （＋）
三、杂质半导体——N型、P型
（前讲）掺杂可以显著地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。
? N 型半导体 （自由电子多）
掺杂为+ 5价元素。 女口：磷；砷 P—+ 5价 使自由电子大大增加
原理： Si—+ 4价 P与Si形成共价键后多余了一个电子。
载流子组成：
o 本征激发的空穴和自由电子一一数量少。
o掺杂后由P提供的自由电子——数量多。
o 空 穴一一少子
o 自由电子一一多子
? P 型半导体 （空穴多）
掺杂为+ 3价元素。 如：硼；铝 使空穴大大增加
原理： Si—+ 4价 B与Si形成共价键后多余了一个空穴。
B——+ 3价
载流子组成：
o 本征激发的空穴和自由电子一一数量少。
o 掺杂后由 B 提供的空 穴一一数量多。
o 空 穴一一多子
o 自由电子一一少子
结论： N 型半导体中的多数载流子为自由电子；
P 型半导体中的多数载流子为 空穴
§-12 PN 结
、PN结的基本原理
1、 什么是 PN 结
将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域
2、 PN 结的结构
分界面上的情况：
P 区： 空穴多
N 区： 自由电子多
扩散运动：
多的往少的那去，并被复合掉。留下了正、负离子。
（正、负离子不能移动）
留下了一个正、负离子区一一耗尽区。
由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度） 方向： N--> P
大小： 与材料和温度有关。 （很小，约零点几伏）
漂移运动：
由于内建电场的吸引，个别少数载流子受电场力的作用与多子运动方向相反作运动。
结论： 在没有外加电压的情况下，扩散电流和漂移电流的大小相等，方向相反。总电流为 零。
1、PN结的单向导电特性
1、 外加正向电压时：（正偏）
结论：
势垒高度
PN 结宽度（耗尽区宽度） 扩散电流
2、 外加反向电压时：
（反偏）
结论：
势垒高度 PN 结宽度（耗尽区宽度） 扩散电流 （趋近于 0）
此时总电流二反向饱和电流（漂移电流）：15
注：反向饱和电流I5只与温度有关，与外加电压无关。
【PN 结的反向击穿】：
? 齐纳击穿：势垒区窄，较高的反向电压形成的内建电场将价电