文档介绍：自 测 题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）
（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。
A 变窄 B 基本不变 C 变宽
（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。
A ISeU B C
（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A 正向导通 B反向截止 C反向击穿
（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A 前者反偏、后者也反偏
B 前者正偏、后者反偏
C 前者正偏、后者也正偏
（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A 结型管 B 增强型MOS管 C 耗尽型MOS管
解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、写出图T13所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝07V。
图T13
解：UO1≈13V，UO2＝0，UO3≈－13V，UO4≈2V，UO5≈13V，
UO6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T14所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
图T14
解：UO1＝6V，UO2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T15所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T15 解图T15
解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈667mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图
T15所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。
六、电路如图T16所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝07V。试问：
（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？
（2）若T临界饱和，则Rb≈？
解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为
μA
所以输出电压UO＝UCE＝2V。 图T16
（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝07V，所以
七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T17所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
表T17
管 号
UGS（th）/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
－5
1
3
T2
－4
3
3
10
T3
－4
6
0
5
解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T17所示。
解表T17
管 号
UGS（th）/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
－5
1
3
恒流区
T2
－4
3
3
10
截止区
T3
－4
6
0
5
可变电阻区<br**** 题
11 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入