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掺杂钛酸锶钡薄膜制备与电性能研究.pdf

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掺杂钛酸锶钡薄膜制备与电性能研究.pdf

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文档介绍:∧ぁT冰醋酸、无水乙醇作为溶剂,其用量分别为~,丙三醇和乙酰丙酮~直鹱魑1砻婊钚约梁万霞潦保频萌芙旱腜滴~扯任温度降低到,其机理为溶胶中的乙酰丙酮由酮式向烯醇式异构体的转变,容易地与。。螯合形成网络结构,而”、“等离子能均匀的分布在此晶相的形成,晶粒能够均匀地长大,其平均粒径为。当薄膜的退火温度为具有不同的居里温度点,可以通过调整/的比例改变∧さ木永镂露鹊悖竦米畲蟮慕榈绯JT谙嗤馐云德拢微量元素铋、钇洳袅糠段Х直鹞..皖其掺量范围宜孀盼⒘吭K添加量的增加,最大介电常数温度点逐渐移向低温,介电常数峰的半高宽增珺1∧ぴ贒⑾辔灰破鞯攘煊虻挠τ们熬凹撼晌9谕獠料研究的主要领域之一。本文以。、。·煳。蚑。。为主要前驱化合物,研究了际踔票副∧さ墓ひ詹问⒔峁褂胄阅艿墓叵怠,浓度为~疞。当均胶速率为痬,℃/N率奔湮小时,薄膜表面颗粒分布均匀,无裂纹。//#疭结构稳定了电极,避免了电极的剥落。乙酰丙酮是较理想的螯合剂,它能使钙钛矿的形成网络中,热分解时金属离子能够均匀地分布,避免了某些阳离子的富集,利于妗⒑穸任时,表现出较好的电性能。低阻硅~现票傅谋∧ぃ琒疊任.№保琒!薄膜相对于其它/比的薄膜而言,其相对介电常数畲£一介质损耗钚畲蠼榈绯J露鹊鉚坏ǖ同样/.谋∧ぴ诟咦韫仙墒保琫蛅两种基片上沉积的薄膜均具有良好的介频特性。为~档土薙薄膜的介质损耗武汉理工大学博士学位论文和
是否存在微量元素,结构中均存在着共格晶界、非共格晶界,晶粒的生长取向膜的介电常数得到明显的提高,例如当测试频率为,K氐睦硐氩袅课影响了退火处理时离子的扩散速率、晶粒的生长以及偶极子的形成及极化,呈量的增加。;琓。薄膜的电滞回线矩形度增大,当元素含量为甇5氖S嗉ɑ慷痗,饱和极化强度为痗,矫顽场为/。2艏由倭康念樵K睾螅嬖谀承┚Я5囊斐3ご笙窒螅沟闷涑叽绶植存在着定向和非定向两种类型。薄膜的断面形貌清晰、厚度均匀。根据断面上∧さ目笪锵辔K姆礁祁芽蠼峁梗孀抛槌芍蠦崩胱幽Χ康脑加,峰高降低,呈现较强的弥散相变特征。只有当适量的微量元索存在时,薄保∧襪!!的蛅直鹞和,均优于其它袅康谋∧ぁ蟠蟮慕档土吮∧さ腡露群徒橹仕鸷模的元素使。。.。薄膜的从降低到,⒘吭K厝〈鶥被騎后形成了不同的缺陷类型及浓度,现出性质的差别。∧ぶ刑绯虢峁辜捶R卜涑肟矶仍嘉狪~K鍮馐蕴跫、保∧!矾。。采用、馐允侄窝芯苛吮∧さ谋砻妗⒍厦娼峁埂薄“、”元素的线分布以及颗粒的大小、晶格条纹、品界结构。当/比为时,即Ⅱ。籘。薄膜表面平整、无裂纹、颗粒分布均匀,其粒径为较宽,例如。氚菾。。∧さ目帕3叽缭玪范围内,平均尺寸约为。蚇崩胱拥拇嬖诮贡∧ぶ械木Я?帕<跎伲甌:蛃矾。㈣。.1∧さ牧>斗直鹞在高阻硅基片上沉积的薄膜,颗粒排列紧密,小空洞较少。不论”、”和”离子的分布规律,可求得薄膜的厚度约为加,。一的钙钛矿特征衍射面八姆骄档奶卣餮苌涿和苌淝慷戎鸾ヒ圃銮俊T赟#籅;薄膜组成中添加少量的”、武汉理工大学博士学位论文为。。!轞Ⅱ
。和。.喽杂谄渌粼颖∧し直鸫锏搅俗Ⅲ薄⒑蚇胱右匀〈鶥騎崩胱邮保∧ぶ形奁渌酉嗌桑渚嗳为四方钙钛矿结构,但晶胞的轴比痑却发生了变化。轴比痑对薄膜的居里温度、相对介电常数的影响规律不同于块体材料,即随痑轴比的升高,最大介电常数温度、皇堑サ鞯脑黾踊蚪档汀5敝岜确直鹞..时。。。.大的介电常数徒闲〉慕橹仕鸷膖拢直鹞、和、。在高阻硅基片上制备的薄膜更易生成四方钙钛矿矿物而表现出很好的介电性能。元素对荾八面体的影响规律可由其昂“两个特征吸收峰的变化来表征。通过对。。。7勰┑腇治隹芍#孀臖素添加量的增加,嗣嫣宓牧教卣魑辗逡葡虻筒ㄊ吹薚一长度增加,利于四方钙钛矿的形成。关键词:∧ぃ榈缧阅埽⒐劢峁梗粼釉K兀芙阂荒杭际武汉理工大学博士学位论文
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~~研究生签名:——导师签名:独创性声明关于论文使用授权的说明本人声明,所呈交的论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和和致谢的地方以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包括其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得武汉理工大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本

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