文档介绍：西安电子科技大学
硕士学位论文
射频VDMOS器件结构研究
姓名:魏峰
申请学位级别:硕士
专业:材料物理与化学
指导教师:李德昌
20080101
在教ㄉ夏D獠⒀芯苛薞的电容特性,总结了栅漏电容白和漏源摘要电压琢的关系;分析了栅氧层厚度和长度、漂移区浓度、沟道区浓度等参数对垂直导电双扩散场效应晶体管骷哂懈呤淙胱杩埂⒏呖9厮俣取宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点,广泛应用于移动通信、雷达、开关电源、汽车电子、马达驱动、节能灯等各种领域。由于我国%以上沸枰=冢虼硕訴器件的物理特性及电学特性研究与建模有着重要实际意义。通过使用器件模拟软件⒘薞器件模型,比较了件的击穿电压和外延层浓度、沟道浓度的关系,分析了准饱和特性产生的原因和影响因素,提出了改进方法并进行了验证。通过参数模拟比较,得到了设计的基本原则。偷挠跋臁P槟庹そ峁苟缘缛萏匦缘母纳谱饔玫玫搅搜橹ぁ介绍并分析了对耐压作用有着明显提高的超结结构,对其工作机理以及存在的缺陷进行了阐述。同时引入了一种在工艺上更为可行的侧壁多晶硅梢云鸬教岣呋鞔┑缪沟淖饔谩通过将各种具有优良性能的结构进行整合,并且整体性能得到明显提高的前提下,提出了新的—侧壁多晶虚拟栅峁埂U庖唤峁沟母飨畹缪参数通过砑玫搅搜橹ぃ痛砎相比,得到了明显的提高。关键词:急ズ统嵝槟庹
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悯坤圯孑本人签名:丝翌期垄剩菏本学何论文属丁保密,存一年解密后适用本授权。忙。诳..学位沦义创新性声明关于论文使用授权的说明::兰秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导鴞难芯抗ぷ骷叭〉玫难芯砍晒>∥宜#宋闹刑乇鸺右员注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电萍即笱Щ蚱渌逃沟难换蛑な槎褂霉材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的蜕明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切的法律责任。本人完全了解西安电子科技大学有关保留利使用学位论文的规定,即:铆生在校攻读学位期川论文工作的知谚╮静位属荫安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许奄阅和借浏论文;学校可以公布论文的仝部或部分内容,可以允:采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。例时本人保证,毕业后结合学位论文研究课题再撰写孜难墒鹈セ猵瞨萍既搜АC艿穆畚娜谓饷芎笞瘛#甝:此规定本人签私:导『掺私:韋
⒄估应管!D壳俺S肰结构或简称、绝缘栅极子器件——功率集成电路——双极型”器件,以及新的高频场控器件等。晶闸管、静电感应晶体管途驳绺杏д⒐鹊龋在统称为第二代电力电子器件或功率集成器件,是既能控制其导通,又能控制其主要推动力之一是这些高性能半导体功率器件的出现,特别是在数千瓦的小功率第二、采用新的原理,开发输入级为峁梗涑黾段狟的新一代“功率的诞生逐步改变了整个功率半导体器件的面貌,通信领域是其得以广泛应用的一个典型。另一方面,通信技术的发展迫切要求微电子产业提供越来越多的成本低廉、性能优良、高可靠性的微波功率器件。微波功率器件及其路列为国家发展战略的核心技术,投入了大量的人力、物力、财力。微波器件及其电路在民用方面的应用主要集中在移动电话、无线通信网、全球定位系统、直在年代末晶闸管问世以来,电力电子器件便开始出现,并运用在越来越多的领域。由于晶闸管是一种只能控制导通,而不能控制关断的半控型开关器件,在交流传动和变频电源的应用中,如不附加强迫换流电路就无法使用。年代以后陆续发明的功率晶体管⒚偶ǹ晒囟暇д⒐’、功率⌒关断的全控型开关器件。年代,电气传动调速控制技术取得了突破性进展,其范围内,它们大有取代双极型晶体管之势。年代中期,又出现了第三代电力电徊桨压β实燃恫煌那⒈;ぁ检测和功率输出单元集于一体,使应用更为方便、可靠。电力半导体器件将向以下两个方面发展:第一、对原有的单极型器件訫V和双极型器件绕骷结构和参数进行最佳设计,实现最佳工艺,以进一步改进器件的性能。由此可见,功率起到了承前启后的作用,它的应用与发展越来越受到人们的重视【”。电路的地位日益提高,以致成为突破或制约尖端技术的关键,很早就引起了美国、日本、西欧等国家的极大关注。早在年美国就把微波半导体功率器件及其电播卫星接收、小孔径终端卫星系统和自动防撞系统等;在军用方面大量集中在雷达、通信、电子对抗等方面随着计算机辅助设计技术和半导体集成电路工艺技术的进步,加之廉价高质
⋯鹚量成熟的材料及先进的工艺技术为进一步大幅度提高微波功率器件的性能创造了条件。特别是进入年代中期至年代以来,由于微波功率双极晶体管