文档介绍：* 第3章场效应管
MOS场效应管

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场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。
4栋积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造
#
大规模集成电路的主要有源器件O
场效应管分类:
r mos场效应管
（结型场效应管
#
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场效应管与三极管主要区别:
・场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。
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・场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。
I—、
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MOS场效应管
r增强型(EMOS)
MOSFET y
l耗尽型(DMOS)
j N 沟道(NMOS)
1P 沟道(PMOS)
r N 沟道(NMOS) Ip 沟道(PMOS)
N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。
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□ N沟道EMOSFET结构示意图
电路符号
漏极
W
IpJ
N
沟道长度
N +
宽度'
SiO2 、绝缘层' ‘P型硅、、衬底,
衬底极
—►
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□ N沟道EMOS管工作原理
&N沟道EMOS管外部工作条件・鼻> 0 （保证漏衬PN「结反偏）o
=\
・U接电路最低电位或与S极相连（保证源衬PN结反偏）。
•VGS>0 （形成导电沟道）
/
#gs
/
a
“DS
UQ
~衬之间相当
A SiO2为介质 £板电容器。
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> N沟道EMOSFET沟道形成原理
VDS=0,讨论“GS作用
X
衬底表面层中奂离子仁电子t
形成空间电荷区并与PN结相通
X Z
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%S、开启电压VgS(Ui)
—>
表面层n»p\-^
形成N型导电沟道
%s越大，反型层中〃越多，导电能力越强。
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• vDS对沟道的控制(假设VGS > VGS(th)且保持不变)
由图
■ VDS很小时j VGD« VGS o此时w近似不变,
即/?on不变。
因此 VDST-/D线性九
■若VDS T-则vGD J -近漏端沟道J ->心增大。
此时心仁变慢。